Fugu-MT 論文翻訳(概要): Ab initio transport calculations: from normal to superconducting current

論文の概要: Ab initio transport calculations: from normal to superconducting current

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2309.06984v1
Date: Wed, 13 Sep 2023 14:20:15 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-09-14 14:01:36.117429
Title: Ab initio transport calculations: from normal to superconducting current
Title（参考訳）: ab initio輸送計算:通常電流から超伝導電流へ
Authors: H. Ness and M. van Schilfgaarde
Abstract要約: 超伝導/常磁性/超伝導三層膜における電流相関係の第一原理記述を定式化することができる。このような構造は磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイス(JMRAM)の超伝導アナログの基礎となる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: Applying the Bogoliubov-de Gennes equations with density-functional theory, it is possible to formulate first-principles description of current-phase relationships in superconducting/normal (magnetic)/superconducting trilayers. Such structures are the basis for the superconducting analog of Magnetoresistive random access memory devices (JMRAM). In a recent paper [1] we presented results from the first attempt to formulate such a theory, applied to the Nb/Ni/Nb trilayers. In the present work we provide computational details, explaining how to construct key ingredient (scattering matrices $S_N$) in a framework of linear muffin-tin orbitals (LMTO).
Abstract（参考訳）: ボゴリューボフ・デ・ジェンヌ方程式を密度汎関数理論に適用すると、超伝導/常磁性三層膜における電流相関係の第一原理記述を定式化することができる。このような構造は、磁気抵抗性ランダムアクセスメモリデバイス(jmram)の超伝導アナログの基礎である。最近の論文[1]では、Nb/Ni/Nb三層膜に適用した、そのような理論を定式化するための最初の試みの結果を提示した。本研究では, 線形マフィン・スズ軌道(LMTO)の枠組みにおいて, 鍵成分(散乱行列$S_N$)をどう構成するかを説明する。

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