論文の概要: Optical transition parameters of the silicon T centre

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2405.07144v2
• Date: Fri, 08 Nov 2024 19:16:09 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2024-11-12 14:04:18.615040
• Title: Optical transition parameters of the silicon T centre
• Title（参考訳）: シリコンT中心の光遷移パラメータ
• Authors: Chloe Clear, Sara Hosseini, Amirhossein AlizadehKhaledi, Nicholas Brunelle, Austin Woolverton, Joshua Kanaganayagam, Moein Kazemi, Camille Chartrand, Mehdi Keshavarz, Yihuang Xiong, Louis Alaerts, Oney O. Soykal, Geoffroy Hautier, Valentin Karassiouk, Mike Thewalt, Daniel Higginbottom, Stephanie Simmons,
• Abstract要約: シリコンTセンタの狭く、電気通信帯域の光学放射、長いスピンコヒーレンス、直接光電子統合が関心を喚起している。 T中心のスピン選択光学遷移の重要なパラメータは、文学において未決定または曖昧である。 我々は、ひずみ、電気、磁場下でのT中心の光学特性とスピン特性のモデルを提供する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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• Abstract: The silicon T centre's narrow, telecommunications-band optical emission, long spin coherence, and direct photonic integration have spurred interest in this emitter as a spin-photon interface for distributed quantum computing and networking. However, key parameters of the T centre's spin-selective optical transitions remain undetermined or ambiguous in literature. In this paper we present a Hamiltonian of the T centre TX state and determine key parameters of the optical transition from T$_0$ to TX$_0$ from a combined analysis of published results, density functional theory, and new spectroscopy. We resolve ambiguous values of the internal defect potential in the literature, and we present the first measurements of electrically tuned T centre emission. As a result, we provide a model of the T centre's optical and spin properties under strain, electric, and magnetic fields that can be utilized for realizing quantum technologies.
• Abstract（参考訳）: シリコンTセンタの狭く、通信帯域の光学発光、長いスピンコヒーレンス、直接光子統合は、分散量子コンピューティングとネットワークのためのスピン光子インターフェースとしてのこのエミッタへの関心を喚起している。 しかし、T中心のスピン選択光学遷移の重要なパラメータは、文学において未決定または曖昧である。 本稿では、T中心TX状態のハミルトニアンを示し、T$_0$からTX$_0$への光学遷移の鍵パラメータを、公表された結果、密度汎関数理論、新しい分光法との組み合わせから決定する。 文献中の内部欠陥電位の曖昧さを解消し,電気的に調整されたT中心放射の初回測定を行った。 その結果、ひずみ、電気、磁場下でのT中心の光学特性とスピン特性のモデルを提供し、量子技術の実現に利用することができる。

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