Fugu-MT 論文翻訳(概要): Ballast charges for semiconductor spin qubits

論文の概要: Ballast charges for semiconductor spin qubits

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2405.14027v1
Date: Wed, 22 May 2024 22:00:44 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2024-05-24 19:44:34.153845
Title: Ballast charges for semiconductor spin qubits
Title（参考訳）: 半導体スピン量子ビットに対するバラスト電荷
Authors: Yujun Choi, John M. Nichol, Edwin Barnes,
Abstract要約: 量子ビットの下に位置する追加の遮蔽層の表面への誘導電荷であるバラスト電荷の概念を導入する。シミュレーションにより,Si/SiGeデバイスにおけるスピン量子ビットの劣化時間は,この手法を用いることで平均4～6倍になることがわかった。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Semiconductor spin qubits are an attractive platform for quantum computing, but their performance is degraded primarily by fluctuating electromagnetic environments. We introduce the concept of ballast charges, which are induced charges on the surface of an additional screening layer situated below the qubits. The counteractive behavior of these charges can significantly reduce the power spectral density associated with fluctuations from two-level systems that contribute to charge noise. Our simulations show that the dephasing time of a spin qubit in a Si/SiGe device increases by a factor of 4 to 6 on average when using this method. We also discuss the physical implementation and potential challenges of this approach.
Abstract（参考訳）: 半導体スピン量子ビットは量子コンピューティングの魅力的なプラットフォームであるが、その性能は主として変動する電磁環境によって低下する。量子ビットの下に位置する追加の遮蔽層の表面への誘導電荷であるバラスト電荷の概念を導入する。これらの電荷の反アクティブな挙動は、電荷ノイズに寄与する2レベル系のゆらぎに関連するパワースペクトル密度を著しく減少させる。シミュレーションにより,Si/SiGeデバイスにおけるスピン量子ビットの劣化時間は,この手法を用いることで平均4～6倍になることがわかった。このアプローチの物理的実装と潜在的な課題についても論じる。

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