Fugu-MT 論文翻訳(概要): Cryogenic Compact mm-Wave Broadband SPST Switch in 22nm FDSOI CMOS for Monolithic Quantum Processors

論文の概要: Cryogenic Compact mm-Wave Broadband SPST Switch in 22nm FDSOI CMOS for Monolithic Quantum Processors

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2406.12105v1
Date: Mon, 17 Jun 2024 21:33:48 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2024-06-19 23:37:51.052462
Title: Cryogenic Compact mm-Wave Broadband SPST Switch in 22nm FDSOI CMOS for Monolithic Quantum Processors
Title（参考訳）: モノリシック量子プロセッサ用22nmFDSOICMOSにおける低温小型ミリ波広帯域SPSTスイッチ
Authors: T. D. Nhut, S. Bonen, G. Cooke, T. Jager, M. Spasaro, D. Sufra, S. P. Voinigescu, D. Zito,
Abstract要約: 本稿では,22nmFDSOICMOS技術を用いた小型ミリ波ブロードバンド単極スイッチ(SPST)の低温特性について報告する。 2Kでの低温測定では、2.3dB未満の挿入損失、25.3dB未満の分離損失、および11.5dB以下の戻り損失が、DCから70GHzまでの全周波数範囲で示される。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Abstract: This paper reports the experimental characterization at the cryogenic temperature of a compact mm-wave broadband single-pole single-throw (SPST) switch in 22nm FDSOI CMOS technology. The switch consists of two n-MOSFETs with a special device option to reduce the substrate parasitic effects, and a third n-MOSFET to improve isolation. Unlike prior wideband mm-wave switches, it does not require any large passive components, allowing a very compact design, low loss and high isolation performance. The cryogenic measurements at 2 K show an insertion loss lower than 2.3 dB, an isolation better than 25.3 dB, and the return loss better than -11.5 dB, over the entire frequency range from DC to 70 GHz.
Abstract（参考訳）: 本稿では,22nmFDSOICMOS技術を用いた小型ミリ波ブロードバンド単極スイッチ(SPST)の低温特性について報告する。スイッチは2つのn-MOSFETと、基板寄生効果を低減する特別な装置オプションと、分離を改善する第3のn-MOSFETで構成されている。従来の広帯域mm波スイッチとは異なり、大きな受動部品は必要とせず、非常にコンパクトな設計、低損失、高アイソレーション性能を実現している。 2Kでの低温測定では、2.3dB未満の挿入損失、25.3dB未満の分離損失、および11.5dB以下の戻り損失が、DCから70GHzまでの全周波数範囲で示される。

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