論文の概要: Cryogenic Compact Low-Power 60GHz Amplifier for Spin Qubit Control in Monolithic Silicon Quantum Processors
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2406.12115v1
- Date: Mon, 17 Jun 2024 21:50:27 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-06-19 23:37:50.976064
- Title: Cryogenic Compact Low-Power 60GHz Amplifier for Spin Qubit Control in Monolithic Silicon Quantum Processors
- Title(参考訳): モノリシックシリコン量子プロセッサにおけるスピン量子制御のための低温小型低消費電力60GHz増幅器
- Authors: M. Spasaro, S. Bonen, G. Cooke, T. Jager, T. D. Nhut, D. Sufra, S. P. Voinigescu, D. Zito,
- Abstract要約: 電子/ホールスピン量子ビット制御のための極低温小型低消費電力60GHz増幅器を報告した。
増幅器は15dBのS21を59GHz、BW3dBの52.5-67.5GHz、消費電力は2.16mWである。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
- Abstract: This paper reports the design and experimental characterization of a cryogenic compact low-power 60GHz amplifier for control of electron/hole spin qubits, as elementary building block for monolithic Si quantum processors. Tested at 2 K, the amplifier exhibits S21 of 15 dB at 59 GHz, BW3dB of 52.5-67.5 GHz, and power consumption of 2.16 mW. Owing to the topology with inductorless active network, the amplifier has a compact core area of 0.18 x 0.19 mm2.
- Abstract(参考訳): 本稿では,モノリシックSi量子プロセッサのための基本構造ブロックとして,電子/ホールスピン量子ビット制御のための低温小型低消費電力60GHz増幅器の設計と評価を報告する。
2Kで試験され、15dBのS21を59 GHzで、BW3dBの52.5-67.5 GHzで、消費電力は2.16 mWである。
インダクタレスアクティブネットワークを持つトポロジーのため、増幅器は0.18 x 0.19 mm2のコンパクトコア領域を有する。
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