論文の概要: An Experimental Characterization of Combined RowHammer and RowPress Read Disturbance in Modern DRAM Chips
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2406.13080v2
- Date: Sat, 22 Jun 2024 01:36:56 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-06-25 11:16:10.722568
- Title: An Experimental Characterization of Combined RowHammer and RowPress Read Disturbance in Modern DRAM Chips
- Title（参考訳）: 現代のDRAMチップにおけるRowHammerとRowPress読み取り障害の併用による評価
- Authors: Haocong Luo, Ismail Emir Yüksel, Ataberk Olgun, A. Giray Yağlıkçı, Mohammad Sadrosadati, Onur Mutlu,
- Abstract要約: 我々は、RowHammerとRowPressを組み合わせたパターンを、3大DRAMメーカーすべてから84個の実DDR4 DRAMチップで特徴付けている。
以上の結果から,このRowHammerパターンとRowPressパターンの組み合わせは,最先端のRowPressパターンと比較して,最初のビットフリップを誘導するのに要する時間(最大46.1%高速)を著しく小さくすることがわかった。
その結果,両面パターンの2つの攻撃行のうちの1つからRowPressが引き起こした読み出し障害効果が,他方よりもはるかに重要であるという重要な仮説が得られた。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 7.430668228518989
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: DRAM read disturbance can break memory isolation, a fundamental property to ensure system robustness (i.e., reliability, security, safety). RowHammer and RowPress are two different DRAM read disturbance phenomena. RowHammer induces bitflips in physically adjacent victim DRAM rows by repeatedly opening and closing an aggressor DRAM row, while RowPress induces bitflips by keeping an aggressor DRAM row open for a long period of time. In this study, we characterize a DRAM access pattern that combines RowHammer and RowPress in 84 real DDR4 DRAM chips from all three major DRAM manufacturers. Our key results show that 1) this combined RowHammer and RowPress pattern takes significantly smaller amount of time (up to 46.1% faster) to induce the first bitflip compared to the state-of-the-art RowPress pattern, and 2) at the minimum aggressor row activation count to induce at least one bitflip, the bits that flip are different across RowHammer, RowPress, and the combined patterns. Based on our results, we provide a key hypothesis that the read disturbance effect caused by RowPress from one of the two aggressor rows in a double-sided pattern is much more significant than the other.
- Abstract（参考訳）: DRAM読み取り障害は、システムの堅牢性(信頼性、セキュリティ、安全性)を保証する基本的な特性であるメモリアイソレーションを壊す可能性がある。
RowHammerとRowPressは2つの異なるDRAM読み取り障害現象である。
RowHammerは、攻撃者DRAM行を何度も開いて閉じることで、物理的に隣接する被害者DRAM行のビットフリップを誘導する一方、RowPressは攻撃者DRAM行を長時間開いておくことでビットフリップを誘導する。
本研究では,RowHammerとRowPressを組み合わせたDRAMアクセスパターンを,3大DRAMメーカすべてから84個の実DDR4 DRAMチップで特徴付ける。
私たちの重要な結果は
1) このRowHammerパターンとRowPressパターンの組み合わせは、最先端のRowPressパターンと比較して、最初のビットフリップを誘導するために、はるかに少ない時間(最大46.1%高速)を要する。
2) 最小アグレシタ行のアクティベーションカウントで少なくとも1ビットフリップを誘導すると、フリップするビットはRowHammer、RowPress、および組み合わせパターンによって異なる。
その結果,両面パターンの2つの攻撃行のうちの1つからRowPressが引き起こした読み出し障害効果が,他方よりもはるかに重要であるという重要な仮説が得られた。
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