論文の概要: Read Disturbance in High Bandwidth Memory: A Detailed Experimental Study on HBM2 DRAM Chips
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2310.14665v3
- Date: Thu, 2 May 2024 15:03:47 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-05-03 22:10:30.452067
- Title: Read Disturbance in High Bandwidth Memory: A Detailed Experimental Study on HBM2 DRAM Chips
- Title（参考訳）: 高帯域メモリにおける読み取り外乱:HBM2 DRAMチップの詳細な実験
- Authors: Ataberk Olgun, Majd Osseiran, Abdullah Giray Yaglikci, Yahya Can Tugrul, Haocong Luo, Steve Rhyner, Behzad Salami, Juan Gomez Luna, Onur Mutlu,
- Abstract要約: 高帯域メモリ(HBM)における読み出し障害(RowHammer,RowPress)の効果を実験的に実証し,未文書読み出し障害防御機構の内部動作を明らかにする。
2つのFPGAボードで6つのReal2 DRAMチップの詳細な特徴は、読み取り障害の脆弱性が2つの異なるチップ間で著しく異なることを示している。
我々は,より強力な読解障害攻撃とより効率的な防御機構を開発するために,我々の研究成果をどのように活用できるかを述べる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 6.501197729222095
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We experimentally demonstrate the effects of read disturbance (RowHammer and RowPress) and uncover the inner workings of undocumented read disturbance defense mechanisms in High Bandwidth Memory (HBM). Detailed characterization of six real HBM2 DRAM chips in two different FPGA boards shows that (1) the read disturbance vulnerability significantly varies between different HBM2 chips and between different components (e.g., 3D-stacked channels) inside a chip, (2) DRAM rows at the end and in the middle of a bank are more resilient to read disturbance, (3) fewer additional activations are sufficient to induce more read disturbance bitflips in a DRAM row if the row exhibits the first bitflip at a relatively high activation count, (4) a modern HBM2 chip implements undocumented read disturbance defenses that track potential aggressor rows based on how many times they are activated. We describe how our findings could be leveraged to develop more powerful read disturbance attacks and more efficient defense mechanisms. We open source all our code and data to facilitate future research at https://github.com/CMU-SAFARI/HBM-Read-Disturbance.
- Abstract（参考訳）: 高帯域メモリ(HBM)における読み出し障害(RowHammer,RowPress)の効果を実験的に実証し,未文書読み出し障害防御機構の内部動作を明らかにする。
2つの異なるFPGA基板における6つの実HBM2 DRAMチップの詳細な特徴は、(1)読み出し障害の脆弱性は、異なるHBM2チップと、チップ内の異なるコンポーネント(例えば、3Dスタックされたチャネル)の間で大きく異なること、(2) エンドおよび銀行の真ん中のDRAM行は、読み出し障害の回復性が高いこと、(3) 行が比較的高いアクティベーション数で最初のビットフリップを示した場合、DRAM行の読み出し障害のビットフリップを誘導するのに十分な追加のアクティベートが減少すること、(4) 最新のHBM2チップは、アクティベート数に基づいて潜在的攻撃的行を追跡する文書化されていない読み取り障害防御を実装していること、である。
我々は,より強力な読解障害攻撃とより効率的な防御機構を開発するために,我々の研究成果をどのように活用できるかを述べる。
我々は、すべてのコードとデータをオープンソース化し、https://github.com/CMU-SAFARI/HBM-Read-Disturbance.comで将来の研究を促進する。
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