論文の概要: One-dimensional quantum dot array integrated with charge sensors in an InAs nanowire

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2407.15534v1
• Date: Mon, 22 Jul 2024 10:53:39 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-07-23 15:21:11.532243
• Title: One-dimensional quantum dot array integrated with charge sensors in an InAs nanowire
• Title（参考訳）: InAsナノワイヤにおける電荷センサと一体化された1次元量子ドットアレイ
• Authors: Yi Luo, Xiao-Fei Liu, Zhi-Hai Liu, Weijie Li, Shili Yan, Han Gao, Haitian Su, Dong Pan, Jianhua Zhao, Ji-Yin Wang, H. Q. Xu,
• Abstract要約: InAsナノワイヤに2つの量子ドット電荷センサを統合した1次元量子ドットアレイを報告する。 この装置は、アレイ内で連続的に形成された二重量子ドットを測定することによって研究される。 4次元ハミルトニアンに基づく理論シミュレーションにより、2つの二重量子ドット間の強い結合強度が確かめられる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 11.376853122289328
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We report an experimental study of a one-dimensional quintuple-quantum-dot array integrated with two quantum dot charge sensors in an InAs nanowire. The device is studied by measuring double quantum dots formed consecutively in the array and corresponding charge stability diagrams are revealed with both direct current measurements and charge sensor signals. The one-dimensional quintuple-quantum-dot array are then tuned up and its charge configurations are fully mapped out with the two charge sensors. The energy level of each dot in the array can be controlled individually by using a compensated gate architecture (i.e., "virtual gate"). After that, four dots in the array are selected to form two double quantum dots and ultra strong inter-double-dot interaction is obtained. A theoretical simulation based on a 4-dimensional Hamiltonian confirms the strong coupling strength between the two double quantum dots. The highly controllable one-dimensional quantum dot array achieved in this work is expected to be valuable for employing InAs nanowires to construct advanced quantum hardware in the future.
• Abstract（参考訳）: InAsナノワイヤ内の2つの量子ドット電荷センサと一体化した1次元量子ドットアレイの実験的検討を行った。 アレイ内で連続的に形成された二重量子ドットを計測し、直流測定と電荷センサ信号の両方で対応する電荷安定性図を明らかにする。 1次元のクインタプル量子ドットアレイを調整し、その電荷構成を2つの電荷センサーで完全にマッピングする。 アレイ内の各ドットのエネルギーレベルは補償ゲートアーキテクチャ(仮想ゲート)を用いて個別に制御できる。 その後、配列内の4つの点が2つの二重量子ドットを形成するように選択され、超強い二重ドット間相互作用が得られる。 4次元ハミルトニアンに基づく理論シミュレーションにより、2つの二重量子ドット間の強い結合強度が確かめられる。 この研究で達成された高制御可能な1次元量子ドットアレイは、将来高度な量子ハードウェアを構築するためにInAsナノワイヤを利用することに価値があると期待されている。

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