論文の概要: Magnetic and phonon-induced effects on the non-Markovian dynamics of a single solid-state defect
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2411.09825v1
- Date: Thu, 14 Nov 2024 22:19:40 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2024-11-18 15:37:56.766097
- Title: Magnetic and phonon-induced effects on the non-Markovian dynamics of a single solid-state defect
- Title（参考訳）: 単固体欠陥の非マルコフ力学に対する磁気及びフォノン誘起効果
- Authors: Ariel Norambuena, Diego Tancara, Vicente Chomalí-Castro, Daniel Castillo,
- Abstract要約: 単一モードおよび構造されたフォノン環境が非マルコフ力学を引き起こすことを示す。
最も重要なことは、磁場(縦方向と横方向)、フォノンカップリング、フォック状態、温度の影響について検討することである。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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- Abstract: The electron-phonon interaction is one of the most fundamental mechanisms in condensed matter physics. Phonons can induce memory effects in solid-state platforms when localized electronic states interact with lattice vibrations in non-unitary dynamical maps. In this work, we demonstrate how single-mode and structured phonon environments can give rise to non-Markovian dynamics of an individual negatively charged silicon-vacancy center in diamond. Using trace distance as a quantifier via numerical simulations and theoretical calculations, we identify the physical conditions for emerging and understanding non-Markovian behavior in diverse scenarios. Most importantly, we investigate the influence of magnetic fields (longitudinal and transverse), phonon couplings, Fock states, and temperature to understand how these factors influence memory effects in this solid-state device.
- Abstract（参考訳）: 電子-フォノン相互作用は、凝縮物質物理学における最も基本的なメカニズムの1つである。
フォノンは、局所化された電子状態が非単体力学写像の格子振動と相互作用するとき、固体プラットフォームにおける記憶効果を誘導することができる。
本研究は, ダイヤモンド中の負電荷シリコン空孔中心の非マルコフ動力学を, 単一モードおよび構造フォノン環境がもたらす影響を実証するものである。
トレース距離を数値シミュレーションと理論計算による定量化器として用い, 多様なシナリオにおける非マルコフ行動の出現と理解の物理的条件を同定する。
最も重要なことは、磁場(縦方向と横方向)、フォノンカップリング、フォック状態、温度の影響を調べ、これらの要因がこの固体デバイスにおける記憶への影響を理解することである。
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