Fugu-MT 論文翻訳(概要): Coulomb impurities in graphene driven by fast ions

論文の概要: Coulomb impurities in graphene driven by fast ions

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2411.13429v1
Date: Wed, 20 Nov 2024 16:12:05 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2024-11-21 16:09:38.225590
Title: Coulomb impurities in graphene driven by fast ions
Title（参考訳）: 高速イオン駆動グラフェン中のクーロン不純物
Authors: Saparboy Rakhmanov, Reinhold Egger, Doniyor Jumanazarov, Davron Matrasulov,
Abstract要約: グラフェン単分子膜中の2次元(2次元)人工原子における電子遷移の理論モデルを提案する。時間依存型2次元ディラック方程式の正確な解を用いて、対応する電子遷移の確率と断面積を計算する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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Abstract: We provide a theoretical model for electronic transitions in a two-dimensional (2D) artificial atom in a graphene monolayer. The artificial atom is due to the presence of a charged adatom (Coulomb impurity) in the layer and interacts with a fast ultrarelativistic ion moving parallel to the layer. We compute the probability and cross sections for the corresponding electronic transitions by means of an exact solution of the time-dependent 2D Dirac equation describing the interaction of the planar atom with the electromagnetic field of the ultrarelativistic projectile.
Abstract（参考訳）: グラフェン単分子膜中の2次元(2次元)人工原子における電子遷移の理論モデルを提案する。人工原子は、層中に荷電原子(クーロン不純物)が存在し、層に平行に移動する高速な超相対論的イオンと相互作用する。我々は、平面原子と超相対論的射影の電磁場との相互作用を記述する時間依存2次元ディラック方程式の正確な解を用いて、対応する電子遷移の確率と断面積を計算する。

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