論文の概要: Large tuning of the optical properties of nanoscale NdNiO3 via electron doping

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2411.15679v1
• Date: Sun, 24 Nov 2024 01:24:04 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2024-11-26 14:18:09.847423
• Title: Large tuning of the optical properties of nanoscale NdNiO3 via electron doping
• Title（参考訳）: 電子ドーピングによるナノスケールNdNiO3の光学特性の大規模チューニング
• Authors: Yeonghoon Jin, Teng Qu, Siddharth Kumar, Nicola Kubzdela, Cheng-Chia Tsai, Tai De Li, Shriram Ramanathan, Nanfang Yu, Mikhail A. Kats,
• Abstract要約: ネオジム酸化ニッケル(NdNiO3)の結晶膜を作製した。 インターカレーションは膜厚方向に沿ってドーパント濃度を勾配させた。 光バンドギャップの電気的制御は、光屈折率に大きな変化を伴い、波長可変光の新しい機会を生み出している。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.1160897408844138
• License:
• Abstract: We synthesized crystalline films of neodymium nickel oxide (NdNiO3), a perovskite quantum material, switched the films from a metal phase (intrinsic) into an insulator phase (electron-doped) by field-driven lithium-ion intercalation, and characterized their structural and optical properties. Time-of-flight secondary-ion mass spectrometry (ToF-SIMS) showed that the intercalation process resulted in a gradient of the dopant concentration along the thickness direction of the films, turning the films into insulator-metal bilayers. We used variable-angle spectroscopic ellipsometry to measure the complex refractive indices of the metallic and insulating phases of NdNiO3. The insulator phase has a refractive index of n ~ 2 and low absorption in the visible and near infrared, and analysis of the complex refractive indices indicated that the band gap of the insulating phase is roughly 3-4 eV. Electrical control of the optical band gap, with corresponding large changes to the optical refractive indices, creates new opportunities for tunable optics.
• Abstract（参考訳）: ペロブスカイト量子材料であるネオジム酸化ニッケル(NdNiO3)の結晶膜を合成し, 電界駆動リチウムイオンインターカレーションにより金属相(内在性)から絶縁体相(電子ドープ)に切り替え, その構造と光学特性を特徴付けた。 飛行時二次イオン質量分析法 (ToF-SIMS) により, 膜厚方向のドーパント濃度の勾配が増大し, 絶縁体-金属二層膜に変化した。 我々はNdNiO3の金属および絶縁相の複雑な屈折率を測定するために可変角分光エリプソメトリーを用いた。 絶縁体相は、可視・近赤外における屈折率n~2と低吸収率を有し、複素屈折率の解析により、絶縁相のバンドギャップが約3〜4eVであることが示された。 光バンドギャップの電気的制御は、光屈折率に大きな変化を伴い、波長可変光の新しい機会を生み出している。

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