論文の概要: Sub-micron Circuit Fabrication on Diamond Anvils for Mesoscopic High-Pressure Experiments

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2501.03317v1
• Date: Mon, 06 Jan 2025 19:00:01 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-01-08 15:49:08.117683
• Title: Sub-micron Circuit Fabrication on Diamond Anvils for Mesoscopic High-Pressure Experiments
• Title（参考訳）: メソスコピック高圧実験用ダイヤモンドアンビルのサブミクロン回路作製
• Authors: Z. R. Rehfuss, K. Zheng, S. L. Gould, K. W. Murch, S. Ran,
• Abstract要約: ダイヤモンドアンビル上に高品質なリフトオフ構造を創出する新規な製造法を提案する。 2層レジストスタックと電子ビームリソグラフィーを用いることで、500nmまでの特性サイズが達成される。 この研究は、ダイヤモンドアンビル細胞やその他の面状結晶のサンプルの中で、複雑で高精度な製造と測定の道を開く。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License:
• Abstract: We present a novel fabrication procedure to produce high-quality lift-off structures on diamond anvils extending from the culet down to the slanted facets. Feature sizes down to 500 nm are achieved through the use of a bi-layer resist stack and electron beam lithography. Device structures with strong adhesion to the diamond surface and high abrasion resistance are realized by optimizing the surface treatment. To benchmark our process, we fabricate a multi-lead tungsten circuit to measure changes of the superconducting transition temperature of zirconium across the structural phase transition at $\sim$30 GPa; showing a 4-fold jump of the critical temperature. Our process is easily reproducible in most traditional academic and industrial cleanroom facilities. This work paves the way for complex and high-precision fabrication and measurements inside diamond anvil cells and on other faceted crystalline samples.
• Abstract（参考訳）: 斜め下方から斜め下方へ延びるダイヤモンドアンビルに高品質なリフトオフ構造を創出する新製法を提案する。 2層レジストスタックと電子ビームリソグラフィーを用いて、500nmまでの特徴サイズを実現する。 ダイヤモンド表面への強い密着性と高い耐摩耗性を有するデバイス構造は、表面処理を最適化することにより実現される。 本プロセスのベンチマークを行うため, ジルコニウムの超伝導転移温度を30GPa$\sim$30GPaで測定し, 臨界温度の4倍の跳躍を示すため, マルチリードタングステン回路を作製した。 私たちのプロセスは、ほとんどの伝統的な学術・工業用クリーンルーム施設で容易に再現できます。 この研究は、ダイヤモンドアンビル細胞やその他の面状結晶のサンプルの中で、複雑で高精度な製造と測定の道を開く。

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