論文の概要: Transport characterization and quantum dot coupling in commercial 22FDX

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2501.10146v1
• Date: Fri, 17 Jan 2025 12:17:16 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-01-20 13:58:58.484927
• Title: Transport characterization and quantum dot coupling in commercial 22FDX
• Title（参考訳）: 22FDXの輸送特性と量子ドットカップリング
• Authors: Giselle A. Elbaz, Pierre-Louis Julliard, Mikaël Cassé, Heimanu Niebojewski, Benoit Bertrand, Grégoire Roussely, Valentin Labracherie, Maud Vinet, Tristan Meunier, Bruna Cardoso Paz,
• Abstract要約: 温度関数としてのゲートスタック,チャネルタイプ,バックバイアスの影響について検討した。 このスクリーニングプロセスでは、Siチャネルの長さと幅の両方に沿って量子ドットを結合できる量子ビットデバイスを選択しました。 本報告では,ハニカムパターンが明確で規則的な安定性図を提示する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
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• Abstract: Different groups worldwide have been working with the GlobalFoundries 22nm platform (22FDX) with the hopes of industrializing the fabrication of Si spin qubits. To guide this effort, we have performed a systematic study of six of the foundry's processes of reference (POR). Using effective mobility as a figure of merit, we study the impact of gate stack, channel type and back bias as a function of temperature. This screening process selected qubit devices that allowed us to couple quantum dots along both the length and width of the Si channel. We present stability diagrams with clear and regular honeycomb patterns, where spurious elements such as dopants are not observed. By combining these results with room and low temperature simulations, we provide insights into potential technology optimizations and show both the utility of qubit pre-screening protocols as well as the advantages of leveraging forward body bias within an FDSOI (Fully Depleted Silicon-On-Insulator) qubit platform.
• Abstract（参考訳）: 世界中の様々なグループが、Siスピン量子ビットの製造を工業化するために、GlobalFoundries 22nmプラットフォーム(22FDX)と協力している。 本研究は,6つのファウンダリー参照プロセス(POR)について,系統的研究を行った。 有効モビリティをメリットの指標として, ゲートスタック, チャネルタイプ, バックバイアスの影響を温度関数として検討した。 このスクリーニングプロセスでは、Siチャネルの長さと幅の両方に沿って量子ドットを結合できる量子ビットデバイスを選択しました。 本報告では,ハニカムパターンが明確で規則的な安定性図を提示する。 これらの結果と室温および低温シミュレーションを組み合わせることで、量子ビット前スクリーニングプロトコルの有用性と、FDSOI(Fully Depleted Silicon-On-Insulator)量子ビットプラットフォームにおけるフォワードボディーバイアスを利用する利点の両方について、潜在的な技術最適化に関する洞察を提供する。

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