論文の概要: Surface Morphology Assisted Trapping of Strongly Coupled Electron-on-Neon Charge States
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2503.01847v1
- Date: Mon, 03 Mar 2025 18:59:59 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-03-05 19:13:32.956106
- Title: Surface Morphology Assisted Trapping of Strongly Coupled Electron-on-Neon Charge States
- Title（参考訳）: 強結合電子対ネオン電荷状態のトッピングを支援する表面形態学
- Authors: Kaiwen Zheng, Xingrui Song, Kater W. Murch,
- Abstract要約: 単一電子は自由ネオン表面に閉じ込められ、回路量子電気力学(回路QED)アーキテクチャによって操作される。
共振器のトレンチ深さと基板表面特性がeNe帯電状態の形成とマイクロ波共振器との結合に与える影響について検討した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.6827423171182154
- License:
- Abstract: Single electrons confined to a free neon surface and manipulated through the circuit quantum electrodynamics (circuit QED) architecture is a promising novel quantum computing platform. Understanding the exact physical nature of the electron-on-neon (eNe) charge states is important for realizing this platform's potential for quantum technologies. We investigate how resonator trench depth and substrate surface properties influence the formation of eNe charge states and their coupling to microwave resonators. Through experimental observation supported by modeling, we find that shallow-depth etching of the resonator features maximizes coupling strength. By comparing the trapping statistics and surface morphology of devices with altered trench roughness, our work reveals the role of fabrication-induced surface features in the formation of strongly coupled eNe states.
- Abstract（参考訳）: 単一電子は自由ネオン表面に閉じ込められ、回路量子電気力学(回路QED)アーキテクチャによって操作される。
電子オンネオン(eNe)電荷状態の正確な物理的性質を理解することは、このプラットフォームの量子技術の可能性を実現する上で重要である。
共振器のトレンチ深さと基板表面特性がeNe帯電状態の形成とマイクロ波共振器との結合に与える影響について検討した。
実験により,共振器の浅部エッチングは結合強度を最大化することがわかった。
トレンチ粗さを変化させた装置のトラップ統計と表面形態を比較した結果, 強結合eNe状態の形成における加工誘起表面特性の役割が明らかになった。
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