論文の概要: Medusa 84 SiH -- A novel high Selectivity Electron Beam Resist for Diamond Quantum Technologies

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2503.04845v1
• Date: Wed, 05 Mar 2025 19:50:00 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-03-10 12:20:11.651649
• Title: Medusa 84 SiH -- A novel high Selectivity Electron Beam Resist for Diamond Quantum Technologies
• Title（参考訳）: Medusa 84 SiH -- ダイヤモンド量子技術のための新しい高選択性電子ビームレジスト
• Authors: Oliver Roman Opaluch, Sebastian Westrich, Nimba Oshnik, Philipp Fuchs, Jan Fait, Sandra Wolff, Harry Biller, Mandy Sendel, Christoph Becher, Elke Neu,
• Abstract要約: 本稿では,アレッシストGmbH(ドイツ)によるMedusa 84 SiHの新規電子ビームレジストによる単結晶ダイヤモンドのナノ構造解析を行った。 ダイヤモンドエッチングの最小選択性は6$pm$1である。 粘着促進シリコン層を用いると、製造歩留まりは最大98%となる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License:
• Abstract: We investigate the novel electron beam resist Medusa 84 SiH by Allresist GmbH (Germany) for nanostructuring of single crystal diamond and its effects on the spin properties of nitrogen vacancy (NV) centers in nanopillars as prototypes for photonic structures. We find contrast curves comparable to those of resists previously used for this task (Hydrogensilsequioxane FOx). We present a minimum selectivity for diamond etching of 6$\pm$1. Using an adhesion-promoting silicon interlayer enables fabrication yields of up to 98\%. We measure $T_2$ times of up to $\sim$25 $\mu$s before and after processing, demonstrating that the manufactured structures are usable for diamond-based quantum sensing.
• Abstract（参考訳）: 単結晶ダイヤモンドのナノ構造に対するアレッシストGmbH(ドイツ)によるMedusa 84 SiHの新規電子ビームレジストについて検討し, フォトニック構造体としてナノピラー中の窒素空孔(NV)中心のスピン特性に及ぼす影響について検討した。 コントラスト曲線は、以前このタスクに使われたレジスト(Hydrogensilsequioxane FOx)に匹敵する。 ダイヤモンドエッチングの最小選択性は6$\pm$1である。 粘着促進シリコン層を用いると、製造歩留まりは最大98倍になる。 我々は、製造された構造がダイヤモンドベースの量子センシングに利用できることを示すために、処理前後のT_2ドルを最大$\sim$25$\mu$sまで測定する。

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