論文の概要: Resonant Tunneling in Tri-layer 2H-MoTe2 grown by Molecular Beam Epitaxy Coupled with layered WSe2 carrier Reservoir

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2506.00971v2
• Date: Wed, 04 Jun 2025 18:51:59 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-06-06 16:56:39.529424
• Title: Resonant Tunneling in Tri-layer 2H-MoTe2 grown by Molecular Beam Epitaxy Coupled with layered WSe2 carrier Reservoir
• Title（参考訳）: 層状WSe2担体貯留層と分子線エピタキシー法による三層膜2H-MoTe2の共振トンネル
• Authors: Abir Mukherjee, Kajal Sharma, Kamlesh Bhatt, Santanu Kandar, Rajendra Singh, Samaresh Das,
• Abstract要約: 2H-MoTe2系共振トンネル構造の導電率に顕著な量子振動を報告した。 本研究は, 分子線エピタキシー (MBE) によるn-WSe2/HfO2/i-MoTe2/HfO2/Au共振トンネル装置 (RTD) を作製し, CVD (Chemical Vapor Deposition) を作製した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.43975202913406947
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Here, we report a prominent quantum oscillation in the conductance of 2H-MoTe2 based resonant tunneling structure. In this work, a n-WSe2/HfO2/i-MoTe2/HfO2/Au resonant tunneling device (RTD) with a symmetric and asymmetric double barrier has been fabricated using Molecular Beam Epitaxy (MBE) grown 2H-MoTe2 and Chemical Vapor Deposition (CVD) grown 2H-WSe2 along with theoretical modeling by adopting non-equilibrium Green function (NEGF) formalism. The impact of MoTe2-quantum well widths equal, and above its excitonic Bohr radius (EBR:0.7 nm) on resonant tunneling current is investigated at cryogenic temperatures. Such peak values increase with downscaling of the well width up to a certain value and then it decreases with further miniaturization. The corresponding maximum peak-to-valley current ratio (PVR) is estimated to be 4 at 4K in the low voltage range for the very first time in MoTe2 based RTD. Therefore, the present work may provide the route for fabrication of WSe2/MoTe2-based high performance resonant tunneling devices integrable with HEMT device for modern Qubit architecture operational at ultra-low temperatures.
• Abstract（参考訳）: 本稿では, 2H-MoTe2系共振トンネル構造の導電率に顕著な量子振動を報告する。 本研究は,N-WSe2/HfO2/i-MoTe2/HfO2/Au共振トンネル装置(RTD)を分子線エピタキシー(MBE)成長2H-MoTe2およびCVD成長2H-WSe2を用いて作製し,非平衡グリーン関数(NEGF)定式化による理論的モデリングを行った。 MoTe2量子井戸の幅は等しく、その励起ボーア半径(EBR:0.7nm)以上が共鳴トンネル電流に及ぼす影響を低温下で調査した。 このようなピーク値は、井戸幅のダウンスケーリングによって一定の値まで増加し、さらに小型化して減少する。 対応する最大ピーク対バレー電流比(PVR)は、MoTe2系RTDにおいて初めて低電圧域で4Kと推定される。 したがって、本研究は、超低温で動作可能な現代QubitアーキテクチャのためのHEMTデバイスと統合可能なWSe2/MoTe2ベースの高性能共振トンネル装置の製造経路を提供することができる。

関連論文リスト

• Flux pinning in superconducting multilayer 2H-NbSe$_2$ nano-step junction [0.3495246564946556]
  超伝導体は、有限バイアスや磁場条件下であっても、散逸のない超電流を示す。 II型超伝導体における超電流とオーミック散逸の相互作用は、渦運動と渦ピンニング力の頑健さによって予測される。 2H-NbSe$$$の原子状薄型2H-NbSe超伝導体における超伝導相転移と渦ダイナミクスの実験的検討を行った。
  論文  参考訳（メタデータ） (2025-01-07T14:09:49Z)
• Electron-Electron Interactions in Device Simulation via Non-equilibrium Green's Functions and the GW Approximation [71.63026504030766]
  電子-電子(e-e)相互作用は、量子輸送シミュレーションに明示的に組み込まれなければならない。 この研究は、非平衡条件下でのナノデバイスの大規模原子論的量子輸送シミュレーションを報告した最初のものである。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-12-17T15:05:33Z)
• Robust coherent dynamics of homogeneously limited anisotropic excitons in two-dimensional layered ReS2 [0.0]
  二次元層状半導体における面内異方性励起は、最先端のナノフォトニクス応用を可能にする。 ここでは, プリシン層状r崩壊ジスルフィド(ReS2)における異方性励起子のコヒーレンス時間を直接測定する。 ReS2の励起コヒーレンスは、他の2次元半導体と比較して、光学密度と温度に対して例外的な堅牢性を示す。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-11-20T20:24:41Z)
• Single photon emitters in monolayer semiconductors coupled to transition metal dichalcogenide nanoantennas on silica and gold substrates [49.87501877273686]
  遷移金属ジアルコゲナイド(TMD)単一光子エミッタは、量子情報応用に多くの利点をもたらす。 シリコンやガリウムホスプヒド(GaP)などのナノ共振器の製造に用いられる伝統的な材料は、高い屈折率の基質を必要とすることが多い。 ここでは,多層TMDで作製したナノアンテナ(NA)を用いて,基板選択による完全な柔軟性を実現する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-08-02T07:44:29Z)
• Simulating Spin-Orbit Coupling With Quasidegenerate N-Electron Valence Perturbation Theory [77.34726150561087]
  本稿では,SO-QDNEVPT2におけるスピン軌道結合効果の最初の実装について述べる。 これらの方法の精度は、14および16の水素化物、3dおよび4d遷移金属イオン、および2つのアクチニド二酸化物に対して試験される。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-11-11T20:03:37Z)
• Tunable Localized Charge Transfer Excitons in a Mixed Dimensional van der Waals Heterostructure [0.0]
  電荷移動励起子は高度に非局在化されており、空間的局在化には、非常に特定の角度でねじれ層を必要とする。 ここでは,MoSe2およびWSe2単層膜とCdSe/CdS系コア/シェルナノプレートからなる2D/quasi-2D系におけるCT励起体の形成を実証する。 我々の発見は、高度に調整可能なMDHベースの次世代フォトニックデバイスの実現に向けた重要な一歩である。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-10-23T03:25:24Z)
• Probing flux and charge noise with macroscopic resonant tunneling [45.36850110238202]
  我々は,初期井戸の低エネルギー状態から地中への非コヒーレントトンネルの速度を測定した。 本研究では, フラックスおよび荷電騒音に関する情報を1つの実験装置で抽出できる理論モデルを構築した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-10-04T16:15:34Z)
• Photoinduced prethermal order parameter dynamics in the two-dimensional large-$N$ Hubbard-Heisenberg model [77.34726150561087]
  2次元相関電子モデルにおいて、競合する秩序相の微視的ダイナミクスについて検討する。 2つの競合する位相間の光誘起遷移をシミュレートする。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-05-13T13:13:31Z)
• Engineering the Radiative Dynamics of Thermalized Excitons with Metal Interfaces [58.720142291102135]
  平面金属界面近傍のTMDCにおける励起子の発光特性を解析した。 点双極子の場合に対する放出の抑制または増強は、数桁のオーダーで達成される。 ナノスケールの光学キャビティは、TMDCの長寿命エキシトン状態を生成するための有効な経路である。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-10-11T19:40:24Z)
• A flux tunable superconducting quantum circuit based on Weyl semimetal MoTe2 [0.0]
  トランスモン様超伝導量子干渉デバイス(SQUID)を提案する。 SQUIDは、ワイル半金属Td-MoTe2と超伝導鉛窒化ニオブ(NbN)からなる接合からなる。 Weyl材料をベースとしたMoTe2とフラックス可変トランスモン様回路のJJを実演する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-10-27T07:24:39Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。

指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。