論文の概要: High-temperature growth of ultra thin NbTiN films on lithium niobate for integrated single photon detection
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2509.07870v1
- Date: Tue, 09 Sep 2025 15:56:54 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-09-10 14:38:27.388296
- Title: High-temperature growth of ultra thin NbTiN films on lithium niobate for integrated single photon detection
- Title(参考訳): ニオブ酸リチウム上への超薄膜NbTiN薄膜の高温成長による単一光子検出
- Authors: Sjoerd Telkamp, Odiel Hooybergs, Myriam Rihani, Giovanni Finco, Tummas Napoleon Arge, Robin N. Dür, Victor Mougel, Daniel Scheffler, Filip Krizek, Rachel Grange, Robert J. Chapman, Werner Wegscheider,
- Abstract要約: Lithium niobate-on-insulator (LNOI)は、スケーラブルな量子情報処理に高い可能性を持つ新興フォトニックプラットフォームである。
窒化ニオブ(NbTiN)超伝導ナノワイヤ単光子検出器(SNSPD)がこの用途に期待できる候補である。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.044073832279181074
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Lithium niobate-on-insulator (LNOI) is an emerging photonic platform with high potential for scalable quantum information processing due to its strong second-order nonlinearity. However, little progress has been made in developing on-chip single-photon detectors on LNOI. Niobium titanium nitride (NbTiN) superconducting nanowire single-photon detectors (SNSPDs) are a promising candidate for this application. In this work, we use DC reactive magnetron sputtering to grow high-quality NbTiN thin films using an ultra-high vacuum deposition system with a base pressure lower than $2\times 10^{-10}$ mbar. Enabled by the low concentration of background impurities in this system, we investigate the impact of substrate temperature during NbTiN growth. We achieve four nm thick superconducting films with a critical temperature ($T_{c}$) of 12.3 K grown at a substrate temperature of 825 K. We find that the NbTiN films grow in the (111) orientation and evolve from a porous pillar structure when grown at low temperatures to densely packed fibrous grains at higher temperatures. Furthermore, we demonstrate that the increased substrate temperature reduces the oxygen concentration in our films and improves the overall stoichiometry. In addition, we integrate these films with the LNOI platform and investigate the obtained interface quality. Lastly, we fabricate SNSPDs from the NbTiN film on LNOI and characterize the detector performance.
- Abstract(参考訳): ニオブ酸リチウムイオン絶縁体(Lithium niobate-on-insulator, LNOI)は、2次の強い非線形性のため、スケーラブルな量子情報処理の可能性が高い新興フォトニックプラットフォームである。
しかし、LNOI上のオンチップ単光子検出器の開発にはほとんど進展がなかった。
窒化ニオブ(NbTiN)超伝導ナノワイヤ単光子検出器(SNSPD)がこの用途に期待できる候補である。
本研究では, 直流反応性マグネトロンスパッタ法を用いて, 超高真空蒸着システムを用いて高品質NbTiN薄膜を成長させる。
本システムにおける背景不純物の低濃度化により, NbTiN成長における基板温度の影響について検討した。
825Kの基板温度で成長した12.3Kの臨界温度(T_{c}$)で4nmの厚い超伝導膜を実現し,低温で成長するとNbTiN膜は(111)方向に成長し,高温で高密度に充填された繊維粒へと成長する多孔質柱構造から進化することがわかった。
さらに, 基板温度の上昇は膜中の酸素濃度を減少させ, 全体的な速度論を改善することを実証した。
さらに,これらのフィルムをLNOIプラットフォームに統合し,得られたインタフェース品質について検討する。
最後に,LNOI上のNbTiN膜からSNSPDを作製し,検出器性能を特徴付ける。
関連論文リスト
- Room-Temperature High-Purity Single Photon Emission from Carbon-Doped Boron Nitride Thin Films [0.0]
六方晶窒化ホウ素(hBN)は室温単光子を発生させる優れた宿主材料である。
ここでは, 炭素ドープ, センチメートルスケールのhBN薄膜を直接成長させることにより, hBN中の高純度かつ安定な単一光子エミッタ(SPEs)を実証する。
論文 参考訳(メタデータ) (2025-05-14T16:53:57Z) - Development of High-Quality $α$-Ta Film at Room Temperature via Seed Layer Engineering [0.38549690865648956]
シリコン基板上における高品質超伝導薄膜の成長は量子コンピューティングに不可欠である。
$alpha$-Ta薄膜の成長は高温/低温成長、極薄シード層、厚膜によって達成できる。
本研究は, 結晶性シード層を用いて, $alpha$-Ta薄膜を最適化し, 膜質の向上を実証する。
論文 参考訳(メタデータ) (2025-03-21T02:43:14Z) - Generation of photon pairs through spontaneous four-wave mixing in subwavelength nonlinear films [67.410870290301]
非晶質窒化ケイ素(SiN)のサブ波長膜中の窒素含有量の異なる4波長自然混合(SFWM)による光子対の生成について検討した。
SiN膜と溶融シリカ基板との2光子干渉を観察することにより,窒素含有量の異なる薄膜の3次感受性を見いだすことができた。
論文 参考訳(メタデータ) (2025-02-03T12:30:06Z) - Tantalum thin films sputtered on silicon and on different seed layers: material characterization and coplanar waveguide resonator performance [1.927480729357611]
超伝導量子ビットは、大規模量子コンピューティングのための有望なプラットフォームである。
これまで、ほとんどの量子ビットアーキテクチャは超伝導層の選択材料としてニオブ (Nb) に依存してきた。
そのような材料の一つがタンタル(Ta)であり、高性能キュービット成分はすでに実証されている。
論文 参考訳(メタデータ) (2024-09-09T20:03:10Z) - Single photon emitters in monolayer semiconductors coupled to transition metal dichalcogenide nanoantennas on silica and gold substrates [49.87501877273686]
遷移金属ジアルコゲナイド(TMD)単一光子エミッタは、量子情報応用に多くの利点をもたらす。
シリコンやガリウムホスプヒド(GaP)などのナノ共振器の製造に用いられる伝統的な材料は、高い屈折率の基質を必要とすることが多い。
ここでは,多層TMDで作製したナノアンテナ(NA)を用いて,基板選択による完全な柔軟性を実現する。
論文 参考訳(メタデータ) (2024-08-02T07:44:29Z) - Quantum Emitters in Aluminum Nitride Induced by Zirconium Ion
Implantation [70.64959705888512]
本研究は, 窒化アルミニウム(AlN)をオンチップフォトニクスに高度に適合する特性を有する材料として検討した。
ジルコニウム (Zr) およびクリプトン (Kr) 重イオン注入によるAlN中の単一光子発光体の生成と光物性の総合的研究を行った。
532nmの励起波長では、イオン注入によって誘起される単一光子エミッタは、ZrおよびKrイオンのAlN格子の空孔型欠陥と主に関連していることがわかった。
論文 参考訳(メタデータ) (2024-01-26T03:50:33Z) - High-quality superconducting α-Ta film sputtered on heated silicon substrate [0.0]
α-Taフィルムは、長いコヒーレンス時間でマルチキュービットを製造するための有望なプラットフォームである。
ここでは,低損失超伝導TiNxバッファ層を有するSi(100)上にスパッタ成長したα-Ta膜について報告する。
500dgCで成長したα-Ta膜の超伝導臨界遷移温度(Tc)と残留比(RRR)は室温(RT)で成長したα-Ta膜よりも高い。
論文 参考訳(メタデータ) (2023-05-18T13:25:11Z) - Van der Waals Materials for Applications in Nanophotonics [49.66467977110429]
本稿では, ナノフォトニクスプラットフォームとして, 層状ファンデルワールス結晶(vdW)を創出する。
機械的に剥離した薄膜(20-200nm)ファンデルワールス結晶の誘電応答を抽出し, 高い屈折率をn=5。
SiO$と金でナノアンテナを作製し,vdW薄膜と各種基板との相溶性を利用した。
論文 参考訳(メタデータ) (2022-08-12T12:57:14Z) - Discovery of Nb hydride precipitates in superconducting qubits [37.69303106863453]
リゲッティ・コンピューティングで作製された超伝導量子ビットのシリコン上におけるニオブ膜中のニオブ水和物生成の最初の証拠を報告する。
室温106Kで高分解能透過電子顕微鏡(HRTEM)解析を行った。
以上の結果から,超伝導量子ビットのデコヒーレンスの新たな発生源が明らかとなり,準および二段系(TLS)の損失に寄与した。
論文 参考訳(メタデータ) (2021-08-23T20:01:38Z) - Room temperature single-photon emitters in silicon nitride [97.75917079876487]
二酸化ケイ素基板上に成長した窒化ケイ素(SiN)薄膜における室温単一光子放射体の初観測について報告する。
SiNは近年、集積量子フォトニクスの最も有望な材料として登場し、提案されたプラットフォームは、量子オンチップデバイスのスケーラブルな製造に適している。
論文 参考訳(メタデータ) (2021-04-16T14:20:11Z)
関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。
指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト(すべての情報・翻訳含む)の品質を保証せず、本サイト(すべての情報・翻訳含む)を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。