Fugu-MT 論文翻訳(概要): Quantum Emission in Monolayer WSe2 Transferred onto InP Nanowires

論文の概要: Quantum Emission in Monolayer WSe2 Transferred onto InP Nanowires

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2510.04198v1
Date: Sun, 05 Oct 2025 13:30:34 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2025-10-07 16:52:59.510518
Title: Quantum Emission in Monolayer WSe2 Transferred onto InP Nanowires
Title（参考訳）: InPナノワイヤに転写した単層WSe2の量子放出
Authors: Palwinder Singh, Jasleen Kaur Jagde, Megha Jain, Edith Yeung, David B. Northeast, Simona Moisa, Seid J. Mohammed, Jean Lapointe, Una Rajnis, Annika Kienast, Philip J. Poole, Dan Dalacu, Kimberley C. Hall,
Abstract要約: 遷移金属ジアルコゲナイド(TMD)の局在量子エミッタは、単一光子のオンデマンドソースの固体候補として出現している。ここでは, 水平配向InPナノワイヤと結合したWSe2単層からなるハイブリッド構造からの量子放出について検討する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/
Abstract: Localized quantum emitters in transition-metal dichalcogenides (TMDs) have recently emerged as solid-state candidates for on-demand sources of single photons. Due to the role of strain in the site-selective creation of TMD emitters, their hybrid integration into photonic structures such as cavities and waveguides is possible using pick-and-place methods. Here we investigate quantum emission from a hybrid structure consisting of a monolayer of WSe2 interfaced with horizontally aligned InP nanowires (NWs). Our experiments reveal multiple narrow and bright emission peaks in the 715-785 nm spectral range and g(2)(0) as low as 0.049, indicating strong antibunching and good single photon purity. The faceted nature of III-V NWs provides unique opportunities for strain engineering, including the potential for placement of emitters on the top surface for optimal coupling. Our findings pave the way for realizing hybrid quantum light sources for integrated quantum photonics that could combine III-V quantum dots with TMD emitters into a single platform.
Abstract（参考訳）: 遷移金属ジアルコゲナイド(TMD)の局在量子エミッタは、最近、単一光子のオンデマンドソースの固体候補として出現している。 TMDエミッタの部位選択的生成におけるひずみの役割から, キャビティや導波管などのフォトニック構造へのハイブリッド化は, ピック・アンド・プレイス法により可能である。ここでは、水平配向InPナノワイヤ(NWs)で界面されたWSe2単層からなるハイブリッド構造からの量子放出について検討する。実験の結果,715-785nmのスペクトル範囲で,g(2)(0)は0.049の範囲で複数の狭い発光ピークと明るい発光ピークを示し,強いアンチバンチングと良好な単一光子純度を示した。 III-V NWsの面面の性質は、最適結合のために表面上にエミッタを配置する可能性を含む、ひずみ工学にユニークな機会を与える。我々の発見は、III-V量子ドットとTMDエミッタを1つのプラットフォームに組み合わせることができる統合量子フォトニクスのためのハイブリッド量子光源を実現するための道を開いた。

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