論文の概要: Beyond the non-Hermitian skin effect: scaling-controlled topology from Exceptional-Bound Bands

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2510.06338v1
• Date: Tue, 07 Oct 2025 18:02:44 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-10-09 16:41:20.130222
• Title: Beyond the non-Hermitian skin effect: scaling-controlled topology from Exceptional-Bound Bands
• Title（参考訳）: 非エルミート皮膚効果を超えて--例外境界バンドのスケーリング制御トポロジー
• Authors: Mengjie Yang, Ching Hua Lee,
• Abstract要約: システムサイズによって制御される非エルミート系における位相遷移の新しいメカニズムを確立する。 提案手法は,多次元格子,ギャップド,ギャップレスのスケーリング依存バンドの設計に汎用的に適用可能である。 これは多目的結合や多軌道単位細胞を持つ非エルミートプラットフォームで実験的に証明できる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 8.574701040721227
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We establish a novel mechanism for topological transitions in non-Hermitian systems that are controlled by the system size. Based on a new paradigm known as exceptional-bound (EB) band engineering, its mechanism hinges on the unique critical scaling behavior near an exceptional point, totally unrelated to the well-known non-Hermitian skin effect. Through a series of ansatz models, we analytically derive and numerically demonstrate how topological transitions depend on the system size with increasingly sophisticated topological phase boundaries. Our approach can be generically applied to design scaling-dependent bands in multi-dimensional lattices, gapped or gapless, challenging established critical and entanglement behavior. It can be experimentally demonstrated in any non-Hermitian platform with versatile couplings or multi-orbital unit cells, such as photonic crystals, as well as classical and quantum circuits. The identification of this new EB band mechanism provides new design principles for engineering band structures through scaling-dependent phenomena unique to non-Hermitian systems.
• Abstract（参考訳）: 我々は,システムサイズによって制御される非エルミート系における位相遷移の新しいメカニズムを確立する。 例外バウンド(EB)バンドエンジニアリングと呼ばれる新しいパラダイムに基づいて、そのメカニズムは例外点付近のユニークな臨界スケーリング挙動に依存しており、よく知られた非エルミート皮膚効果とは無関係である。 一連のアンザッツモデルを通して、トポロジカル遷移がより洗練されたトポロジカル位相境界を持つ系の大きさに依存するかを解析的に導出し、数値的に示す。 提案手法は,多次元格子におけるスケーリング依存バンドの設計に汎用的に適用可能である。 これは、古典的および量子回路と同様に、多目的結合やフォトニック結晶のような多軌道単位セルを持つ任意の非エルミートプラットフォームで実験的に実証することができる。 この新しいEBバンド機構の同定は、非エルミート系に特有のスケーリング依存現象を通じて、エンジニアリングバンド構造のための新しい設計原則を提供する。

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