論文の概要: In-vacuum surface flashover of SiN, AlN, and etched SiO2 thin films at micrometre scales
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2511.10528v1
- Date: Fri, 14 Nov 2025 01:56:18 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2025-11-14 22:53:22.911795
- Title: In-vacuum surface flashover of SiN, AlN, and etched SiO2 thin films at micrometre scales
- Title（参考訳）: SiN, AlN, エッチングSiO2薄膜の微小スケールにおける真空中フラッシュオーバー
- Authors: Vijay Kumar, Martin Siegele-Brown, Matthew Aylett, Sebastian Weidt, Winfried Karl Hensinger,
- Abstract要約: SiO$, SiN, AlN薄膜の表面フラッシュオーバー電圧閾値をマイクロスケール長で調べた。
SiO$$未処理試料とフッ化水素またはトランスエンアルパドエッチ639でエッチングした試料との間には,有意な差は認められなかった。
SiNおよびAlN試料は、電極間隔の差が大きくなると、表面フラッシュオーバー電圧が5ドルで45%増加し、SiO$$の試料よりも大幅に向上した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 4.933781780814596
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We investigate the surface flashover voltage threshold for SiO$_2$, SiN, and AlN thin films over micrometre scale lengths. Furthermore, we test the effects of different etching chemistries on SiO$_2$ layers. We find that there is little significant difference between untreated SiO$_2$ samples and those that have been etched with hydrogen fluoride or Transene AlPad Etch 639. SiN and AlN samples performed significantly better than all SiO$_2$ samples giving a 45% increase in surface flashover voltage at a distance of 5 $μ$m with the difference increasing with electrode spacing.
- Abstract（参考訳）: SiO$_2$, SiN, AlN薄膜の表面フラッシュオーバー電圧閾値をマイクロスケール長で調べた。
さらに, SiO$_2$層に対するエッチング化学の影響を検証した。
その結果,未処理のSiO$_2$サンプルとフッ化水素やトランスエンアルパドエッチ639でエッチングした試料との間には,有意な差は認められなかった。
SiNおよびAlN試料は, 電極間隔の差が大きくなると, 5μ$m間隔で表面フラッシュオーバー電圧が45%増加し, すべてのSiO$_2$試料よりも有意に良好な性能を示した。
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