論文の概要: Excitonic Theory of the Ultrafast Optical Response of 2D-Quantum-Confined Semiconductors at Elevated Densities
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2512.03198v1
- Date: Tue, 02 Dec 2025 19:52:48 GMT
- ステータス: 情報取得中
- システム内更新日: 2025-12-04 11:57:29.104998
- Title: Excitonic Theory of the Ultrafast Optical Response of 2D-Quantum-Confined Semiconductors at Elevated Densities
- Title(参考訳): 2次元量子結合半導体の高密度超高速光応答の励起論
- Authors: Henry Mittenzwey, Oliver Voigt, Andreas Knorr,
- Abstract要約: 閉じ込められた半導体の超高速光応答に対するエキソニックなアプローチを示す。
この理論は、コヒーレントなエクシトン遷移とビエクシトンが支配するコヒーレントな体制から、エキセントニックな職業が支配する非コヒーレントな体制まで有効である。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
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- Abstract: An excitonic approach to the ultrafast optical response of confined semiconductors at elevated densities below the Mott transition is presented. The theory is valid from the coherent regime, where coherent excitonic transitions and biexcitons dominate, to the incoherent regime, where excitonic occupations dominate. Numerical simulations of the $1s$ exciton dynamics during intense circularly polarized pump pulses in two different Coulomb-interaction regimes are performed for two-dimensional semiconductors: Moderate Coulomb interaction is compared with dominating Coulomb interaction with respect to the light-matter interaction strength. The different many-body contributions are disentangled and it is found, that excitonic Rabi oscillations in the Coulomb-dominated regime are considerably less strong. By also comparing circular and linear excitation in a MoSe$_2$ monolayer, it is found, that linear excitation creates a regime, where excitonic Rabi oscillations are almost completely suppressed.
- Abstract(参考訳): モット転移の下の高密度における閉じ込められた半導体の超高速光応答に対するエキソニクス的アプローチを示す。
この理論は、コヒーレントなエクシトン遷移とビエクシトンが支配するコヒーレントな体制から、エキセントニックな職業が支配する非コヒーレントな体制まで有効である。
2つの異なるクーロン-相互作用系における強円偏極ポンプパルス中の1s$エキシトンダイナミクスの数値シミュレーションは、2次元半導体に対して行われる: 適度クーロン相互作用は、光-物質相互作用強度に関してクーロン相互作用の優位性と比較される。
様々な多体寄与が絡み合っており、クーロン支配体制におけるエキソニックなラビ振動は、かなり弱いことが判明した。
また、MoSe$_2$単層での環状励起と線形励起を比較することにより、線形励起は励起ラビ振動がほぼ完全に抑制される状態を生成することが分かる。
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