論文の概要: Anomalous Klein tunnelling with magnetic barriers in strained graphene
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2603.03240v1
- Date: Tue, 03 Mar 2026 18:32:44 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-03-04 21:38:10.929925
- Title: Anomalous Klein tunnelling with magnetic barriers in strained graphene
- Title（参考訳）: 歪グラフェンの磁気バリアを有する異常クライントンネル
- Authors: Edgardo Marin-Colli, Tonatiuh Gómez-Ramírez, O-Excell Gutierrez, Yonatan Betancur-Ocampo, Alfredo Raya, Erik Díaz-Bautista,
- Abstract要約: ひずみグラフェンシート中の電子輸送について, 静電障壁と磁気障壁の連続による検討を行った。
機械的変形と外部磁場の相互作用は、異常なクライントンネルを生成する。
これらの知見は,2次元材料における電荷輸送を調整するための強力なツールとして,ひずみ工学と磁場変調が果たす役割を浮き彫りにした。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We study electron transport in a strained graphene sheet subjected to a sequence of $N$ electrostatic and magnetic barriers. Employing a modified and improved transfer-matrix framework, we examine how the transmission and reflection coefficients evolve with variations in uniaxial strain and in the number of barriers. The interplay of mechanical deformation and external magnetic fields is found to generate an anomalous Klein tunnelling, allowing the conductance to be effectively modulated through strain and barrier configurations. These findings highlight the role of strain engineering and magnetic field modulation as powerful tools for tailoring charge transport in two-dimensional materials. More broadly, they underscore how mechanical and electromagnetic control can be used to design next-generation solid-state devices with tunable electronic properties.
- Abstract（参考訳）: ひずみグラフェンシート中の電子輸送について, 静電障壁と磁気障壁の連続による検討を行った。
改良および改良された移動行列フレームワークを用いて,一軸ひずみおよび障壁数の変化に伴う伝達係数と反射係数の変動について検討した。
機械的変形と外部磁場の相互作用は、異常なクライントンネルを発生させ、コンダクタンスをひずみやバリア構成によって効果的に変調することができる。
これらの知見は,2次元材料における電荷輸送を調整するための強力なツールとして,ひずみ工学と磁場変調が果たす役割を浮き彫りにした。
より広義には、機械的および電磁的な制御が、チューニング可能な電子特性を持つ次世代の固体デバイスの設計にどのように使われるかを強調している。
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