論文の概要: Cluster-configurational study of G-center in Silicon
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2607.14083v1
- Date: Wed, 15 Jul 2026 17:57:32 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-07-16 16:39:12.85564
- Title: Cluster-configurational study of G-center in Silicon
- Title(参考訳): シリコン中のG中心のクラスター構成に関する研究
- Abstract要約: 本稿では,多構成自己整合体(MCSCF)とDFT最適化幾何を組み合わせることで,シリコン中のG中心のスピン特性と光学特性について検討する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Understanding the properties of defects is imperative for proper use for variety of applications including quantum computing. In this paper, we use the multiconfigurational self consistent field (MCSCF) combined with DFT optimized geometry in order to investigate the spin and optical properties of G centers in Silicon. By utilizing quantum chemistry based methods, we show excellent agreement with the Zero Phonon Line and Zero Field Splitting Tensor components of the G center. We also calculate the theoretical spin decoherence time of the G centers using Cluster Correlation Expansion (CCE) methods.
- Abstract(参考訳): 欠陥の性質を理解することは、量子コンピューティングを含む様々なアプリケーションに適切に使用するために必須である。
本稿では,多構成自己整合体(MCSCF)とDFT最適化幾何を組み合わせることで,シリコン中のG中心のスピン特性と光学特性について検討する。
量子化学に基づく手法を用いることで、G中心のゼロフォノン線とゼロフィールド分割テンソル成分との良好な一致を示す。
また,クラスタ相関拡張(CCE)法を用いて,G中心のスピンデコヒーレンス時間を計算する。
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