論文の概要: Phonon-assisted transport and hole-phonon coupling in GaAs double quantum dots
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2608.09116v1
- Date: Mon, 10 Aug 2026 04:46:09 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-08-11 19:16:37.083052
- Title: Phonon-assisted transport and hole-phonon coupling in GaAs double quantum dots
- Title（参考訳）: GaAs二重量子ドットにおけるフォノン支援輸送とホールフォノンカップリング
- Abstract要約: ホールフォノン相互作用は、半導体量子ドットの輸送とデコヒーレンス過程において重要な役割を果たす。
量子点接触電荷センサと一体化したゲート定義GaAs二重量子ドットにおけるホールフォノンカップリングについて検討する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 13.190902629318403
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Hole-phonon interactions play an important role in transport and decoherence processes in semiconductor quantum dots. Here we investigate hole-phonon coupling in a gate-defined GaAs double quantum dot integrated with a quantum point contact charge sensor. Under finite source-drain bias, pronounced oscillatory stripe patterns appear near specific charge transition regions in the charge stability diagram. We attribute these oscillations to phonon emission during inelastic interdot tunneling. A theoretical model including piezoelectric hole-phonon coupling reproduces the observed patterns. Furthermore, our analysis shows that the oscillations emerge only in particular charge configurations. Our results provide direct insight into phonon-assisted transport and coherent hole-phonon interactions in semiconductor quantum dots.
- Abstract（参考訳）: ホールフォノン相互作用は、半導体量子ドットの輸送とデコヒーレンス過程において重要な役割を果たす。
本稿では、量子点接触電荷センサと一体化したゲート定義GaAs二重量子ドットにおけるホールフォノンカップリングについて検討する。
有限ソースドレインバイアスの下では、電荷安定性図の特定の電荷遷移領域付近に顕著な発振ストライプパターンが現れる。
非弾性トンネルにおけるフォノン放出による発振特性について検討した。
圧電ホールフォノン結合を含む理論モデルは、観測されたパターンを再現する。
さらに,我々は,振動が特定の電荷配置にのみ現れることを示した。
この結果は、半導体量子ドットにおけるフォノンアシスト輸送とコヒーレントホールフォノン相互作用の直接的な洞察を与える。
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