論文の概要: The Casimir free energy of peptide films on a silicon substrate: Impact of dielectric-to-metal transition in silicon and nanoparticles in peptide
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2609.03841v1
- Date: Thu, 03 Sep 2026 13:36:39 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-09-04 18:28:39.089965
- Title: The Casimir free energy of peptide films on a silicon substrate: Impact of dielectric-to-metal transition in silicon and nanoparticles in peptide
- Title(参考訳): シリコン基板上のペプチド膜のカシミール自由エネルギー:シリコンおよびナノ粒子の誘電-金属転移の影響
- Abstract要約: シリコン基板上に堆積した薄膜のカシミール自由エネルギーを計算した。
ペプチド膜厚の境界値は、膜中の水の分画の関数として見出される。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Using the Lifshitz theory of the van der Waals and Casimir forces, we calculate the Casimir free energy of thin peptide films deposited on silicon substrates. The Casimir free energy is found as a function of film thickness for different fractions of water in the film, in the presence of either nonmagnetic or magnetic nanoparticles, and under the impact of irradiation of a silicon substrate with laser pulses or dopants resulting in the dielectric-to-metal phase transition. It is shown that for a dielectric silicon there is the borderline value of the film thickness, such that the Casimir free energy is negative and contributes to the film stability for thicker films, but is positive and makes the film less stable for thinner ones. According to our results, the borderline value of peptide film thickness decreases with increasing volume fractions of water and in the film. This decrease is more pronounced for the magnetic nanoparticles and becomes stronger with increasing their radius. The borderline value of peptide film thickness is found as a function of the fraction of water in the film. If the silicon substrate is in metallic state, the Casimir free energy of peptide coating is always positive, which makes it less stable. Possible applications of the obtained results in organic electronics and biomedicine are discussed.
- Abstract(参考訳): カシミール力とファンデルワールス力のリフシッツ理論を用いて、シリコン基板上に堆積した薄膜のカシミール自由エネルギーを計算する。
カシミール自由エネルギーは、非磁性または磁性ナノ粒子の存在下、シリコン基板にレーザーパルスまたはドーパントを照射すると誘電-金属相転移が生じる場合、膜中の水の分画に対する膜厚の関数として見出される。
誘電体シリコンでは、カシミール自由エネルギーが負であり、より厚膜に対する膜安定性に寄与するが、正であり、薄膜がより薄い膜に対して安定でないような膜厚の境界値が存在することが示されている。
以上の結果から, ペプチド膜の膜厚は水量率の増加とともに減少し, 膜内の膜厚は減少することがわかった。
この減少は磁性ナノ粒子に対してより顕著であり、半径が増加するにつれて強くなる。
ペプチド膜厚の境界値は、膜中の水の分画の関数として見出される。
シリコン基板が金属状態であれば、ペプチドコーティングのカシミール自由エネルギーは常に正であり、安定ではない。
有機エレクトロニクスとバイオメディシンの応用の可能性について論じる。
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