論文の概要: Interplay between growth conditions and formation of localized light emitters in epitaxial AlN thin films

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2609.12772v1
• Date: Fri, 11 Sep 2026 12:27:35 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-09-15 07:38:31.740613
• Title: Interplay between growth conditions and formation of localized light emitters in epitaxial AlN thin films
• Title（参考訳）: エピタキシャルAlN薄膜における成長条件と局在発光体形成の相互作用
• Abstract要約: 我々は,600-800nm帯の異なるゼロフォノン線を持つ発光体を,N-リッチ条件下で成長したエピタキシャルAlN薄膜に効率よく形成可能であることを示す。 これらの結果は、これらの発光中心の微視的な性質をよりよく理解するための道を開く。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: AlN is a promising material for integrated quantum photonics due to its broad transparency window, its compatibility with CMOS technology, and the possibility to host localized light emitters acting as single photon sources. However, little is understood yet about the microscopic nature and formation mechanisms of these light emitters. In this contribution, we demonstrate that their formation efficiency depends significantly on the growth conditions of the AlN thin film. We reveal that localized light emitters with distinct zero-phonon lines in the 600--800~nm range can be efficiently formed in epitaxial AlN thin films grown under N-rich conditions by exposing the AlN to a post-growth treatment consisting in a proton irradiation followed by an annealing process. In contrast, the density of light emitters formed in AlN grown under Al-rich conditions remains low, even after the thin films have been exposed to the post-growth treatment. These results open a pathway toward a better understanding of the microscopic nature of these light emission centers, as well as their engineered integration as quantum light sources in AlN-based optomechanical platforms.
• Abstract（参考訳）: AlNは、広く透明な窓、CMOS技術との互換性、単一光子源として働く局所的な発光体をホストできる可能性から、量子フォトニクスの統合に有望な材料である。 しかし、これらの発光器の微細な性質と形成機構についてはほとんど分かっていない。 本研究は,AlN薄膜の成長条件に大きく依存することを示す。 我々は,600-800〜nmの範囲で異なるゼロフォノン線を有する局在発光体を,陽子照射およびアニール処理によりAlNを成長後処理し,Nリッチ条件下で成長したエピタキシャルAlN薄膜に効率よく形成できることを明らかにする。 対照的に、Al-rich条件下で成長したAlNで形成される発光体の密度は、成長後の処理により薄膜が露出した後でも低いままである。 これらの結果は、これらの発光中心の微視的な性質をよりよく理解する道を開くとともに、AlNベースの光学プラットフォームにおける量子光源としての彼らの工学的な統合の道を開く。

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