論文の概要: Longitudinal spin relaxation model applied to point defect qubit systems

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2001.01801v2
• Date: Tue, 17 Mar 2020 15:38:42 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-01-14 03:13:29.738773
• Title: Longitudinal spin relaxation model applied to point defect qubit systems
• Title（参考訳）: 点欠陥量子ビット系に適用した縦スピン緩和モデル
• Authors: Viktor Iv\'ady
• Abstract要約: 核スピンと電子スピンの希薄浴によって誘導される関連する緩和過程を記述できる手法を開発した。 提案手法は, 固体欠陥量子ビット系, 特にダイヤモンド中のNV中心を, 様々な磁場やひずみで正確に記述できることを示す。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Controllable, partially isolated few level systems in semiconductors have recently gained multidisciplinary attention due to their widespread nanoscale sensing and quantum technology applications. Quantitative simulation of the dynamics and related applications of such systems is a challenging theoretical task that requires faithful description not only the few level systems but also their local environments. Here, we develop a method that can describe relevant relaxation processes induced by a dilute bath of nuclear and electron spins. The method utilizes an extended Lindblad equation in the framework of cluster approximation of a central spin system. We demonstrate that the proposed method can accurately describe T$_1$ time of an exemplary solid-state point defect qubit system, in particular NV center in diamond, at various magnetic fields and strain.
• Abstract（参考訳）: 制御可能な、部分的に孤立した半導体のレベルシステムは最近、ナノスケールセンシングと量子テクノロジーの広範な応用により、複数の分野の注目を集めている。 このようなシステムのダイナミクスと関連する応用の定量的シミュレーションは、少数のレベルシステムだけでなく、そのローカル環境も忠実に記述する必要がある、難しい理論的課題である。 本稿では,核スピンと電子スピンの希薄な浴によって引き起こされる緩和過程を記述する方法を開発した。 この方法は、中心スピン系のクラスター近似の枠組みにおける拡張リンドブラッド方程式を利用する。 提案手法は, 模擬固体点欠陥量子ビット系, 特にダイヤモンド中のNV中心のT$_1$時間を, 様々な磁場とひずみで正確に記述できることを示す。

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