論文の概要: Spin orbit field in a physically defined p type MOS silicon double quantum dot

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2003.07079v2
• Date: Wed, 18 Mar 2020 03:01:21 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-05-29 00:33:59.197104
• Title: Spin orbit field in a physically defined p type MOS silicon double quantum dot
• Title（参考訳）: 物理的に定義されたp型MOSシリコン二重量子ドットにおけるスピン軌道場
• Authors: Marian Marx, Jun Yoneda, \'Angel Guti\'errez Rubio, Peter Stano, Tomohiro Otsuka, Kenta Takeda, Sen Li, Yu Yamaoka, Takashi Nakajima, Akito Noiri, Daniel Loss, Tetsuo Kodera and Seigo Tarucha
• Abstract要約: シリコン中のp型金属酸化物半導体二重量子ドットのスピン軌道(SO)場について検討した。 トンネルホールのスピンフリップは、SO場が二重点軸を指し、量子井戸面からほぼ完全に外れているためである。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 7.272152812337904
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We experimentally and theoretically investigate the spin orbit (SO) field in a physically defined, p type metal oxide semiconductor double quantum dot in silicon. We measure the magnetic field dependence of the leakage current through the double dot in the Pauli spin blockade. A finite magnetic field lifts the blockade, with the lifting least effective when the external and SO fields are parallel. In this way, we find that the spin flip of a tunneling hole is due to a SO field pointing perpendicular to the double dot axis and almost fully out of the quantum well plane. We augment the measurements by a derivation of SO terms using group symmetric representations theory. It predicts that without in plane electric fields (a quantum well case), the SO field would be mostly within the plane, dominated by a sum of a Rashba and a Dresselhaus like term. We, therefore, interpret the observed SO field as originated in the electric fields with substantial in plane components.
• Abstract（参考訳）: シリコン中のp型金属酸化物半導体二重量子ドットにおけるスピン軌道(so)場を実験的に理論的に検討した。 パウリのスピン遮断における二重点を通した漏れ電流の磁場依存性を測定する。 有限磁場は、外部磁場とSO磁場が平行であるときに、昇降が最も効果的である。 このようにして、トンネル孔のスピンフリップは、二重点軸に垂直なSO場が量子井戸面からほぼ完全に外れているためである。 群対称表現理論を用いて、SO項の導出による測定を拡大する。 平面電場(量子井戸の場合)がなければ、so場は主に平面内にあり、ラシュバの和とドレッテルハウスの項が支配的であると予測される。 したがって, 観測された等電界は, 平面成分が相当な電界に起因していると解釈した。

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