Fugu-MT 論文翻訳(概要): Effect of quantum Hall edge strips on valley splitting in silicon quantum wells

論文の概要: Effect of quantum Hall edge strips on valley splitting in silicon quantum wells

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2006.02305v2
Date: Tue, 29 Sep 2020 09:56:28 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2023-05-17 06:40:11.897793
Title: Effect of quantum Hall edge strips on valley splitting in silicon quantum wells
Title（参考訳）: シリコン量子井戸の谷分割に及ぼす量子ホールエッジストリップの影響
Abstract要約: 垂直磁場に対する谷分割依存性をB$とホール密度の両方で調べる。バレー・スプリット層の移動ギャップは、B$と直線的に増加し、ホール密度とは著しく独立している。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We determine the energy splitting of the conduction-band valleys in two-dimensional electrons confined to low-disorder Si quantum wells. We probe the valley splitting dependence on both perpendicular magnetic field $B$ and Hall density by performing activation energy measurements in the quantum Hall regime over a large range of filling factors. The mobility gap of the valley-split levels increases linearly with $B$ and is strikingly independent of Hall density. The data are consistent with a transport model in which valley splitting depends on the incremental changes in density $eB/h$ across quantum Hall edge strips, rather than the bulk density. Based on these results, we estimate that the valley splitting increases with density at a rate of 116 $\mu$eV/10$^{11}$cm$^{-2}$, consistent with theoretical predictions for near-perfect quantum well top interfaces.
Abstract（参考訳）: 低次si量子井戸に閉じ込められた2次元電子における導電帯谷のエネルギー分割を決定する。本研究では,広い範囲の充填因子に対して量子ホール状態における活性化エネルギー測定を行い,垂直磁場$b$とホール密度の谷分割依存性を調べる。谷分割層の移動ギャップはB$と直線的に増加し、ホール密度とは著しく独立している。データは、谷の分割がバルク密度ではなく、量子ホールエッジストリップ全体の密度が$eb/h$の漸進的な変化に依存する輸送モデルと一致している。これらの結果に基づき、谷の分割は密度が116$\mu$ev/10$^{11}$cm$^{-2}$で増加すると推定され、ほぼ完全な量子井戸トップインタフェースの理論的予測と一致している。

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