論文の概要: Effect of quantum Hall edge strips on valley splitting in silicon quantum wells

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2006.02305v2
• Date: Tue, 29 Sep 2020 09:56:28 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-05-17 06:40:11.897793
• Title: Effect of quantum Hall edge strips on valley splitting in silicon quantum wells
• Title（参考訳）: シリコン量子井戸の谷分割に及ぼす量子ホールエッジストリップの影響
• Authors: Brian Paquelet Wuetz, Merritt P. Losert, Alberto Tosato, Mario Lodari, Peter L. Bavdaz, Lucas Stehouwer, Payam Amin, James S. Clarke, Susan N. Coppersmith, Amir Sammak, Menno Veldhorst, Mark Friesen, and Giordano Scappucci
• Abstract要約: 垂直磁場に対する谷分割依存性をB$とホール密度の両方で調べる。 バレー・スプリット層の移動ギャップは、B$と直線的に増加し、ホール密度とは著しく独立している。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We determine the energy splitting of the conduction-band valleys in two-dimensional electrons confined to low-disorder Si quantum wells. We probe the valley splitting dependence on both perpendicular magnetic field $B$ and Hall density by performing activation energy measurements in the quantum Hall regime over a large range of filling factors. The mobility gap of the valley-split levels increases linearly with $B$ and is strikingly independent of Hall density. The data are consistent with a transport model in which valley splitting depends on the incremental changes in density $eB/h$ across quantum Hall edge strips, rather than the bulk density. Based on these results, we estimate that the valley splitting increases with density at a rate of 116 $\mu$eV/10$^{11}$cm$^{-2}$, consistent with theoretical predictions for near-perfect quantum well top interfaces.
• Abstract（参考訳）: 低次si量子井戸に閉じ込められた2次元電子における導電帯谷のエネルギー分割を決定する。 本研究では,広い範囲の充填因子に対して量子ホール状態における活性化エネルギー測定を行い,垂直磁場$b$とホール密度の谷分割依存性を調べる。 谷分割層の移動ギャップはB$と直線的に増加し、ホール密度とは著しく独立している。 データは、谷の分割がバルク密度ではなく、量子ホールエッジストリップ全体の密度が$eb/h$の漸進的な変化に依存する輸送モデルと一致している。 これらの結果に基づき、谷の分割は密度が116$\mu$ev/10$^{11}$cm$^{-2}$で増加すると推定され、ほぼ完全な量子井戸トップインタフェースの理論的予測と一致している。

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