論文の概要: Valley relaxation in a single-electron bilayer graphene quantum dot

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2402.18328v1
• Date: Wed, 28 Feb 2024 13:49:14 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-02-29 14:56:50.420922
• Title: Valley relaxation in a single-electron bilayer graphene quantum dot
• Title（参考訳）: 単一電子二層グラフェン量子ドットにおける谷緩和
• Authors: Lin Wang, Guido Burkard
• Abstract要約: 単一電子二層グラフェン量子ドットにおける間隔結合による谷の緩和について検討する。 高磁場状態における支配的な谷緩和チャネルは、変形電位による電子-フォノンカップリングである。 層間ホッピング$gamma_3$は、二層グラフェンの回転対称量子ドットに対する電荷雑音に対する谷緩和チャネルを開く。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 6.5895924005488915
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We investigate the valley relaxation due to intervalley coupling in a single-electron bilayer graphene quantum dot. The valley relaxation is assisted by both the emission of acoustic phonons via the deformation potential and bond-length change mechanisms and $1/f$ charge noise. In the perpendicular magnetic-field dependence of the valley relaxation time $T_1$, we predict a monotonic decrease of $T_1$ at higher fields due to electron-phonon coupling, which is in good agreement with recent experiments by Banszerus et al. We find that the dominant valley relaxation channel in the high-field regime is the electron-phonon coupling via the deformation potential. At lower fields, we predict that a peak in $T_1$ can arise from the competition between $1/f$ charge noise and electron-phonon scattering due to bond-length change. We also find that the interlayer hopping $\gamma_3$ opens a valley relaxation channel for electric charge noise for rotationally symmetric quantum dots in bilayer graphene.
• Abstract（参考訳）: 単一電子二層グラフェン量子ドットにおける間隔結合による谷緩和について検討する。 谷緩和は、変形電位とボンド長変化機構による音響フォノンの放出と1/f$の電荷雑音によって支援される。 谷緩和時間$t_1$の垂直磁場依存性において,電子-フォノンカップリングによる高磁場での$t_1$の単調減少を予測し,banszerusらによる最近の実験とよく一致した。 高磁場領域における支配的な谷緩和チャネルは、変形電位による電子-フォノンカップリングである。 低磁場では、結合長の変化による1/f$の電荷ノイズと電子-フォノン散乱の競合から、T_1$のピークが生じると予測する。 また、層間ホッピング$\gamma_3$は、二層グラフェンの回転対称量子ドットに対する電荷雑音に対する谷緩和チャネルを開くことも見出した。

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