論文の概要: Improved description of trapped ions as an electro-mechanical system
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2008.07128v5
- Date: Mon, 31 May 2021 07:49:40 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-06 01:19:01.080456
- Title: Improved description of trapped ions as an electro-mechanical system
- Title（参考訳）: 閉じ込められたイオンの電気機械系による説明の改善
- Authors: Noah Van Horne, Manas Mukherjee
- Abstract要約: トラップイオンは量子コンピューティング技術の主要な候補である。
異なるトラップにおける対向イオン量子ビットと超伝導量子ビットによる対向イオン量子ビットは、量子コンピュータをスケールアップするための多くの課題の1つである。
両方の問題を克服するためのアプローチの1つは、導電線を使って異なるトラップにおけるイオン間、またはイオンと超伝導量子ビット間のクーロン相互作用を仲介することである。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Trapped ions are among the leading candidates for quantum computing
technologies. Interfacing ion qubits in separate traps and interfacing ion
qubits with superconducting qubits are two of the many challenges to scale up
quantum computers. One approach to overcome both problems is to use a
conducting wire to mediate the Coulomb interaction between ions in different
traps, or between ions and superconducting qubits. To this end, a trapped
charged particle inducing charge on a conductor has long been modeled as a
system of equivalent lumped element electronic components. Careful
consideration reveals two assumptions in the derivation of this model which are
unjustified in many situations of interest. We identify these assumptions and
explain their implications. In addition, we introduce an improved way to use
linear relationships to describe the interaction of trapped ions with nearby
conductors. The new method is based on realistic assumptions and reproduces
results from other works that are not based on the circuit element model. It is
targeted for trouble-shooting experimental designs and allows experiments to
test and compare the accuracy of different theoretical models.
- Abstract（参考訳）: トラップイオンは量子コンピューティング技術の主要な候補である。
異なるトラップのイオン量子ビットと超伝導量子ビットの対向イオン量子ビットは、量子コンピュータをスケールアップするための多くの課題の1つである。
両方の問題を克服するためのアプローチの1つは、導電線を使って異なるトラップにおけるイオン間、またはイオンと超伝導量子ビット間のクーロン相互作用を仲介することである。
この目的のために、導体に閉じ込められた荷電粒子誘導電荷は、等価な積層素子電子部品のシステムとして長い間モデル化されてきた。
注意深い考慮は、このモデルの導出における2つの仮定を明らかにする。
これらの仮定を特定し、その意味を説明する。
さらに, 捕捉されたイオンと近接導体との相互作用を記述するために, 線形関係を用いた改良手法を導入する。
新しい手法は現実的な仮定に基づいており、回路要素モデルに基づいていない他の作品の結果を再現する。
これはトラブルシューティング実験の設計をターゲットにしており、様々な理論モデルの精度を試験し比較することができる。
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