Fugu-MT 論文翻訳(概要): Heating of a trapped ion induced by dielectric materials

論文の概要: Heating of a trapped ion induced by dielectric materials

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2103.13846v1
Date: Thu, 25 Mar 2021 13:52:28 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-04-06 21:43:29.104440
Title: Heating of a trapped ion induced by dielectric materials
Title（参考訳）: 誘電体材料により誘導されるトラップイオンの加熱
Authors: Markus Teller, Dario A. Fioretto, Philip C. Holz, Philipp Schindler, Viktor Messerer, Klemens Sch\"uppert, Yueyang Zou, Rainer Blatt, John Chiaverini, Jeremy Sage, Tracy E. Northup
Abstract要約: 表面による電界ノイズは、近くに閉じ込められたイオンの運動を妨害する。誘電体材料がイオンの動きに与える影響を予測する手法を提案する。このアプローチは、イオントラップベースの量子コンピュータとネットワークノードの設計を最適化するために使用できると期待している。
参考スコア（独自算出の注目度）: 1.2495977992702094
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Electric-field noise due to surfaces disturbs the motion of nearby trapped ions, compromising the fidelity of gate operations that are the basis for quantum computing algorithms. We present a method that predicts the effect of dielectric materials on the ion's motion. Such dielectrics are integral components of ion traps. Quantitative agreement is found between a model with no free parameters and measurements of a trapped ion in proximity to dielectric mirrors. We expect that this approach can be used to optimize the design of ion-trap-based quantum computers and network nodes.
Abstract（参考訳）: 表面による電界ノイズは、近くの閉じ込められたイオンの動きを妨害し、量子コンピューティングアルゴリズムの基礎となるゲート演算の忠実さを損なう。誘電体材料がイオンの動きに与える影響を予測する手法を提案する。このような誘電体はイオントラップの構成要素である。自由パラメータを持たないモデルと誘電鏡に近接して閉じ込められたイオンの測定との間には定量的な一致が見られる。このアプローチは、イオントラップベースの量子コンピュータとネットワークノードの設計を最適化するために使用できると期待している。

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