論文の概要: Fabrication of superconducting through-silicon vias

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2103.08536v1
• Date: Mon, 15 Mar 2021 16:58:10 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-08 02:10:24.130398
• Title: Fabrication of superconducting through-silicon vias
• Title（参考訳）: 超伝導スルーシリコンviaの作製
• Authors: Justin L. Mallek and Donna-Ruth W. Yost and Danna Rosenberg and Jonilyn L. Yoder and Gregory Calusine and Matt Cook and Rabindra Das and Alexandra Day and Evan Golden and David K. Kim and Jeffery Knecht and Bethany M. Niedzielski and Mollie Schwartz and Arjan Sevi and Corey Stull and Wayne Woods and Andrew J. Kerman and William D. Oliver
• Abstract要約: 高アスペクト比超伝導TSVは、超伝導量子プロセッサ内で高密度の垂直信号ルーティングを可能にする。 これらの高アスペクト比、高臨界電流超伝導TSVは、超伝導量子プロセッサ内で高密度の垂直信号ルーティングを可能にする。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 39.5906786952554
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Increasing circuit complexity within quantum systems based on superconducting qubits necessitates high connectivity while retaining qubit coherence. Classical micro-electronic systems have addressed interconnect density challenges by using 3D integration with interposers containing through-silicon vias (TSVs), but extending these integration techniques to superconducting quantum systems is challenging. Here, we discuss our approach for realizing high-aspect-ratio superconducting TSVs\textemdash 10 $\mu$m wide by 20 $\mu$m long by 200 $\mu$m deep\textemdash with densities of 100 electrically isolated TSVs per square millimeter. We characterize the DC and microwave performance of superconducting TSVs at cryogenic temperatures and demonstrate superconducting critical currents greater than 20 mA. These high-aspect-ratio, high critical current superconducting TSVs will enable high-density vertical signal routing within superconducting quantum processors.
• Abstract（参考訳）: 超伝導量子ビットに基づく量子システム内の回路複雑性の増大は、量子ビットコヒーレンスを維持しながら高い接続性を必要とする。 古典的なマイクロエレクトロニクスシステムは、スルーシリコンバイス(TSV)を含むインターポーラと3次元統合することで、相互接続密度の課題に対処してきたが、これらの統合技術を超伝導量子系に拡張することは困難である。 本稿では,高アスペクト比超伝導体 tsvs\textemdash 10 $\mu$m wide by 20 $\mu$m long by 200 $\mu$m deep\textemdash を実現する手法について検討する。 超伝導TSVの低温における直流およびマイクロ波特性を特徴付け,20mA以上の超伝導臨界電流を示す。 これらの高アスペクト比、高臨界電流超伝導TSVは超伝導量子プロセッサ内で高密度の垂直信号ルーティングを可能にする。

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