論文の概要: Electrical control of topological 3Q state in an intercalated van der Waals antiferromagnet
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2409.02710v1
- Date: Wed, 4 Sep 2024 13:47:19 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-09-05 18:06:49.995568
- Title: Electrical control of topological 3Q state in an intercalated van der Waals antiferromagnet
- Title（参考訳）: ファンデルワールス反強磁性体におけるトポロジカル3Q状態の電気的制御
- Authors: Junghyun Kim, Kaixuan Zhang, Pyeongjae Park, Woonghee Cho, Hyuncheol Kim, Je-Geun Park,
- Abstract要約: Van der Waals(vdW)磁石は、様々な興味深い位相をカバーする新しい機会の道を開いた。
Co2/3TaS2-アンインターカレートされた金属vdW反強磁性体は、成長する材料リストへの最新の重要な付加物の一つである。
慎重なバルク特性は、CoxTaS2の基底状態が1/3未満の3Q四面体構造であることを示している。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 1.714066678536933
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Van der Waals (vdW) magnets have opened a new avenue of novel opportunities covering various interesting phases. Co1/3TaS2-an intercalated metallic vdW antiferromagnet-is one of the latest important additions to the growing list of materials due to its unique triple-Q (3Q) ground state possessing topological characteristics. Careful bulk characterisations have shown the ground state of CoxTaS2 to be a rare 3Q tetrahedral structure for x less than 1/3. The uniqueness of this ground state arises from the dense real-space Berry curvature due to scalar spin chirality, giving rise to a noticeable anomalous Hall effect. In this work, we demonstrate that we can control this topological phase via gating. Using three kinds of CoxTaS2 devices with different Co compositions, we have established that we can cover the whole 3Q topological phase with ionic gating. This work reports a rare demonstration of electrical gating control of layered antiferromagnetic metal. More importantly, our work constitutes one of the first examples of the electrical control of the scalar spin chirality using antiferromagnetic metal.
- Abstract（参考訳）: Van der Waals(vdW)磁石は、様々な興味深い位相をカバーする新しい機会の道を開いた。
Co1/3TaS2-アンインターカレート金属vdW反強磁性体-は、トポロジカル特性を有する独自の三重Q(3Q)基底状態のため、成長する材料のリストに最新の重要な付加物の一つである。
慎重なバルク特性は、CoxTaS2の基底状態が1/3未満の3Q四面体構造であることを示している。
この基底状態の特異性は、スカラースピンのキラリティによる密度の高い実空間ベリー曲率から生じ、顕著な異常ホール効果を引き起こす。
本研究では,この位相位相をゲーティングにより制御できることを実証する。
また,Co組成の異なる3種類のCoxTaS2デバイスを用いて,イオンゲーティングにより3Qトポロジカル位相全体をカバーできることが確認された。
この研究は、層状反強磁性金属の電気ゲーティング制御の稀な実証を報告している。
さらに重要なことに、我々の研究は反強磁性金属を用いたスカラースピンキラリティの電気的制御の最初の例の一つである。
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