Fugu-MT 論文翻訳(概要): Silicon Donor Array as a Disordered One-Dimensional Electron Gas

論文の概要: Silicon Donor Array as a Disordered One-Dimensional Electron Gas

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2105.07871v2
Date: Thu, 20 May 2021 15:26:40 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-30 22:15:28.053584
Title: Silicon Donor Array as a Disordered One-Dimensional Electron Gas
Title（参考訳）: 乱れた一次元電子ガスとしてのシリコンドナーアレイ
Authors: Chao Lei and Allan H. MacDonald
Abstract要約: シリコンのドナーは、約1つの格子定数の精度で位置決めできる。しかし、シリコン伝導バンドのマルチヴァレー特性は、ドナー状態のハミルトニアンへの中心細胞補正と組み合わせて、ドナー配置における原子スケールの欠陥をドナー間ハイブリダイゼーションに変換する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 1.8275108630751844
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Donors in silicon can now be positioned with an accuracy of about one lattice constant, making it possible in principle to form donor arrays for quantum computation or quantum simulation applications. However the multi-valley character of the silicon conduction band combines with central cell corrections to the donor state Hamiltonian to translate atomic scale imperfections in donor placement into strongly disordered inter-donor hybridization. We present a simple model that is able to account accurately for central-cell corrections, and use it to assess the impact of donor-placement disorder on donor array properties in both itinerant and localized limits.
Abstract（参考訳）: シリコンのドナーは1つの格子定数の精度で位置決めでき、原理的には量子計算や量子シミュレーションの応用のためのドナーアレイを形成することができる。しかし、シリコン伝導バンドのマルチヴァレー特性は、ドナー状態のハミルトニアンへの中心細胞補正と組み合わせて、ドナー配置における原子スケールの欠陥をドナー間ハイブリダイゼーションに変換する。そこで本研究では, ドナー配置障害がドナー配列特性に与える影響を評価するために, 中枢細胞補正を正確に考慮できる簡易モデルを提案する。

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