Fugu-MT 論文翻訳(概要): Detecting induced $p \pm ip$ pairing at the Al-InAs interface with a quantum microwave circuit

論文の概要: Detecting induced $p \pm ip$ pairing at the Al-InAs interface with a quantum microwave circuit

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2107.03695v3
Date: Wed, 11 May 2022 14:00:02 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-23 02:19:55.533932
Title: Detecting induced $p \pm ip$ pairing at the Al-InAs interface with a quantum microwave circuit
Title（参考訳）: 量子マイクロ波回路を用いたAl-InAs界面における$p \pm ip$ペアリングの検出
Authors: D. Phan and J. Senior and A. Ghazaryan and M. Hatefipour and W. M. Strickland and J. Shabani and M. Serbyn and A. P. Higginbotham
Abstract要約: 超伝導-半導体ハイブリッドデバイスは、量子情報処理に対するいくつかの提案されたアプローチの中心にある。 2次元Al-InAsハイブリッド系を共振マイクロ波回路に埋め込み,印加磁場による超伝導の破壊を予測した。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: Superconductor-semiconductor hybrid devices are at the heart of several proposed approaches to quantum information processing, but their basic properties remain to be understood. We embed a two-dimensional Al-InAs hybrid system in a resonant microwave circuit, probing the breakdown of superconductivity due to an applied magnetic field. We find a strong fingerprint from the two-component nature of the hybrid system, and quantitatively compare with a theory that includes the contribution of intraband $p \pm i p$ pairing in the InAs, as well as the emergence of Bogoliubov-Fermi surfaces due to magnetic field. Separately resolving the Al and InAs contributions allows us to determine the carrier density and mobility in the InAs.
Abstract（参考訳）: 超伝導体-半導体ハイブリッドデバイスは、量子情報処理へのいくつかの提案の核心にあるが、基本的な特性は分かっていない。 2次元Al-InAsハイブリッド系を共振マイクロ波回路に埋め込み,印加磁場による超伝導の破壊を予測した。ハイブリッドシステムの2成分の性質から強い指紋が得られ、inasにおけるバンド内$p \pm i p$ペアリングの寄与、磁場によるボゴリューボフ-フェルミ表面の出現などを含む理論と定量的に比較した。 AlおよびInAsのコントリビューションを分離して解決することで、InAsのキャリア密度とモビリティを決定することができる。

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