Fugu-MT 論文翻訳(概要): Optical absorption and carrier multiplication at graphene edges in a magnetic field

論文の概要: Optical absorption and carrier multiplication at graphene edges in a magnetic field

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2107.14524v1
Date: Fri, 30 Jul 2021 10:16:27 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-20 09:05:56.523527
Title: Optical absorption and carrier multiplication at graphene edges in a magnetic field
Title（参考訳）: 磁場中におけるグラフェンエッジにおける光吸収とキャリア乗算
Authors: Friedemann Queisser, Sascha Lang, Ralf Sch\"utzhold
Abstract要約: 磁場中におけるグラフェンエッジの光吸収について検討した。磁場は粒子と穴の励起の軌跡を反ポッド方向に曲げる。衝撃イオン化プロセスにより、エッジ電流のかなり強い増幅が得られます。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: We study optical absorption at graphene edges in a transversal magnetic field. The magnetic field bends the trajectories of particle- and hole excitations into antipodal direction which generates a directed current. We find a rather strong amplification of the edge current by impact ionization processes. More concretely, the primary absorption and the subsequent carrier multiplication is analyzed for a graphene fold and a zigzag edge. We identify exact and approximate selection rules and discuss the dependence of the decay rates on the initial state.
Abstract（参考訳）: 横磁場中におけるグラフェンエッジの光吸収について検討した。磁場は粒子とホールの励起の軌跡を反ポッド方向に曲げ、誘導電流を生成する。衝撃イオン化プロセスによって、エッジ電流のかなり強い増幅が見られる。さらに具体的には、グラフェン折りとジグザグエッジに対して一次吸収とその後のキャリア乗算を解析する。厳密かつ近似的な選択規則を特定し,初期状態に対する減衰率の依存性について考察する。

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