論文の概要: Effective Electronic Structure of Monoclinic $\beta-(Al_xGa_{1-x})_2O_3$
alloy semiconductor
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2207.07550v1
- Date: Fri, 15 Jul 2022 15:48:39 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-04 22:50:37.571503
- Title: Effective Electronic Structure of Monoclinic $\beta-(Al_xGa_{1-x})_2O_3$
alloy semiconductor
- Title（参考訳）: 単斜晶$\beta-(al_xga_{1-x})_2o_3$合金半導体の有効電子構造
- Authors: Ankit Sharma, and Uttam Singisetti
- Abstract要約: バルク結晶として、電子バンド構造$beta-(Al_xGa_1-x)フォノO_3$合金系を$beta-GaO_3$で計算する。
バンド展開技術は、ガリウム原子に対して12.5%から62.5%の間で変化するアルミニウム分画の効果的なバンド構造テクスタイト(EBS)を得るために実装される。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 1.093604336287665
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
- Abstract: In this article, the electronic band structure $\beta-(Al_xGa_{1-x})_2O_3$
alloy system is calculated with $\beta-Ga_2O_3$ as the bulk crystal. The
technique of band unfolding is implemented to obtain the effective
bandstructure \textit{(EBS)} for aluminium fractions varying between 12.5\% and
62.5\% with respect to the gallium atoms. A 160 atom supercell is used to model
the disordered system that is generated using the technique of special
quasirandom structures which mimics the site correlation of a truly random
alloy and reduces the configurational space that arises due to the vast
enumeration of alloy occupation sites. The impact of the disorder is then
evaluated on the electron effective mass and bandgap which is calculated under
the generalized gradient approximation \textit{(GGA)}. The EBS of disordered
systems gives an insight into the effect of the loss of translational symmetry
on the band topology which manifests as band broadening and can be used to
evaluate disorder induced scattering rates and electron lifetimes. This
technique of band unfolding can be further extended to alloy phonon dispersion
and subsequently phonon lifetimes can also be evaluated from the band
broadening.
- Abstract（参考訳）: 本稿では,電子バンド構造$\beta-(Al_xGa_{1-x})_2O_3$合金システムをバルク結晶として$\beta-Ga_2O_3$で計算する。
ガリウム原子に対して12.5\%から62.5\%の範囲のアルミニウム分率に対して有効なバンド構造 \textit{(ebs)} を得るためにバンド展開法を実装した。
160原子超セルは、真にランダムな合金の部位相関を模倣する特別な準ランダム構造を模した技術を用いて生成する混乱系をモデル化し、合金占有部位の広大な列挙によって生じる構成空間を減少させる。
障害の影響は、一般化された勾配近似 \textit{(gga)} の下で計算される電子有効質量とバンドギャップに評価される。
乱れた系のebsは、帯域拡大として現れ、乱れによる散乱率と電子寿命を評価するのに使用できるバンドトポロジーに対する翻訳対称性の損失の影響についての洞察を与える。
このバンド展開技術は、合金フォノン分散にさらに拡張することができ、その後、バンド展開からフォノン寿命を評価することもできる。
関連論文リスト
- Efficient First-Principles Framework for Overdamped Phonon Dynamics and Anharmonic Electron-Phonon Coupling in Superionic Materials [6.15531691589623]
超イオン導体における局所障害、無調波性、電子-フォノン結合を記述するために、ab initio準静電多相構造を導入する。
提案手法は,超イオン結晶における電子構造計算を効率よく行うことで,その高次量化を解明する手法である。
論文 参考訳（メタデータ） (2025-02-11T03:21:40Z) - Magnetoresistance oscillations induced by geometry in a two-dimensional quantum ring [0.0]
非零温度でのサブバンド占有の異なる状況下で、平均半径が800hspace0.05cmtextnm$のGaAsデバイスを考える。
変形した表面が、異なる周波数のアハロノフ・ボーム振動によって生じるファン・フーブ伝導特異点と磁気抵抗干渉パターンにどのように影響するかを考察する。
論文 参考訳（メタデータ） (2024-06-21T13:54:40Z) - Site-Controlled Purcell-Induced Bright Single Photon Emitters in Hexagonal Boron Nitride [62.170141783047974]
六方晶窒化ホウ素(hBN)でホストされる単一光子エミッタは、室温で動作する量子フォトニクス技術にとって必須の構成要素である。
我々はPurcellにより誘導されるサイト制御SPEのためのプラズモンナノ共振器の大規模アレイを実験的に実証した。
我々の結果は、明るく、均一に統合された量子光源の配列を提供し、堅牢でスケーラブルな量子情報システムへの道を開いた。
論文 参考訳（メタデータ） (2024-05-03T23:02:30Z) - Giant magnetic and optical anisotropy in cerium-substituted M-type
strontium hexaferrite driven by 4$f$ electrons [0.0]
重元素セリウム (Ce) を置換したM型ヘキサフェライトの巨大結晶異方性 (MCA) 定数が得られた。
電子構造は電子移動がCe$3+$とFe$2+$の形成に繋がることを示している。
Ce-ヘキサフェライトは、自動車の駆動モーターなどの装置での使用に適合する新しい高性能な臨界要素のない永久磁石材料である。
論文 参考訳（メタデータ） (2023-08-08T21:37:30Z) - On the Su-Schrieffer-Heeger model of electron transport: low-temperature
optical conductivity by the Mellin transform [62.997667081978825]
我々は、低温光伝導率を、高分子鎖に沿ってホップする電子の量子力学系における周波数の関数として記述する。
我々のゴールは、このシステムのバンド間伝導度が、最小のエネルギーバンドギャップが閉じる傾向があるときにどのように振る舞うかを示すことである。
論文 参考訳（メタデータ） (2022-09-26T23:17:39Z) - Near-Surface Electrical Characterisation of Silicon Electronic Devices
Using Focused keV Ions [45.82374977939355]
シリコンデバイスに低エネルギーイオンを注入する方法を示す。
内部電界が弱いにもかかわらず、感度領域全体から準均一電荷収集効率が得られる。
これは、高品質な熱ゲート酸化物がイオン検出反応で果たす重要な役割によって説明できる。
論文 参考訳（メタデータ） (2022-01-27T06:29:46Z) - TOF-SIMS Analysis of Decoherence Sources in Nb Superconducting
Resonators [48.7576911714538]
超伝導量子ビットは、潜在的に基盤となるプラットフォーム技術として出現している。
材料品質と界面構造は、デバイスの性能を抑え続けている。
薄膜および隣接領域の2レベル系欠陥はノイズを導入し、電磁エネルギーを散逸させる。
論文 参考訳（メタデータ） (2021-08-30T22:22:47Z) - Optimizing lateral quantum dot geometries for reduced exchange noise [0.0]
本研究は, 印加ゲート電圧の変動や電荷雑音による干渉バイアスに対する交換の感度に物理的装置がどう影響するかを考察する。
本稿では、交換エネルギーを計算するために、高調波軌道相互作用(LCHO-CI)の線形結合を改良した手法を提案する。
論文 参考訳（メタデータ） (2020-12-18T21:06:49Z) - Quantum anomalous Hall phase in synthetic bilayers via twistless
twistronics [58.720142291102135]
我々は超低温原子と合成次元に基づく「ツイストロン様」物理学の量子シミュレータを提案する。
本研究では,適切な条件下でのトポロジカルバンド構造を示す。
論文 参考訳（メタデータ） (2020-08-06T19:58:05Z) - Effects of Conical Intersections on Hyperfine Quenching of Hydroxyl OH
in collision with an ultracold Sr atom [62.60678272919008]
Sr原子とヒドロキシルフリーラジカルOHの超低温衝突ダイナミクスを報告する。
この過程の量子力学的計算により、円錐交点付近で異常な分子動力学のため、クエンチングが効率的であることが明らかとなった。
論文 参考訳（メタデータ） (2020-06-26T23:27:25Z) - Improved access to the fine-structure constant with the simplest atomic
systems [0.0]
本研究では,バウンド電子$g$係数と基底状態エネルギーの適切な重み付け差において,核構造効果を効果的に抑制できることを示す。
この方法では、既存のまたは近未来のペニングトラップとX線分光技術により、独立した$alpha$が提供されることが期待されている。
論文 参考訳（メタデータ） (2020-06-25T09:09:41Z)
関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。
指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。