論文の概要: Generating extreme quantum scattering in graphene with machine learning
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2212.06929v1
- Date: Tue, 13 Dec 2022 22:54:24 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2022-12-15 18:03:21.611587
- Title: Generating extreme quantum scattering in graphene with machine learning
- Title(参考訳): 機械学習によるグラフェン中の極端量子散乱の生成
- Authors: Chen-Di Han and Ying-Cheng Lai
- Abstract要約: グラフェン量子ドットは、2次元(2次元)ディラック材料における電子の挙動を操作するためのプラットフォームを提供する。
逆設計の難解な問題を解く必要があるような、クローキングやスーパースキャッタリングのような応用もある。
逆設計問題に対処するための機械学習アプローチを具体化する。
我々の物理ベースの機械学習アプローチは、2D Dirac素材ベースのエレクトロニクスのための強力な設計ツールとなり得る。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Graphene quantum dots provide a platform for manipulating electron behaviors
in two-dimensional (2D) Dirac materials. Most previous works were of the
"forward" type in that the objective was to solve various confinement,
transport and scattering problems with given structures that can be generated
by, e.g., applying an external electrical field. There are applications such as
cloaking or superscattering where the challenging problem of inverse design
needs to be solved: finding a quantum-dot structure according to certain
desired functional characteristics. A brute-force search of the system
configuration based directly on the solutions of the Dirac equation is
computational infeasible. We articulate a machine-learning approach to
addressing the inverse-design problem where artificial neural networks subject
to physical constraints are exploited to replace the rigorous Dirac equation
solver. In particular, we focus on the problem of designing a quantum dot
structure to generate both cloaking and superscattering in terms of the
scattering efficiency as a function of the energy. We construct a physical loss
function that enables accurate prediction of the scattering characteristics. We
demonstrate that, in the regime of Klein tunneling, the scattering efficiency
can be designed to vary over two orders of magnitudes, allowing any scattering
curve to be generated from a proper combination of the gate potentials. Our
physics-based machine-learning approach can be a powerful design tool for 2D
Dirac material-based electronics.
- Abstract(参考訳): グラフェン量子ドットは、2次元(2次元)ディラック材料の電子挙動を操作するプラットフォームを提供する。
以前のほとんどの作品は、例えば外部の電界を印加するなどによって生じるような所定の構造で、様々な閉じ込め、輸送、散乱問題を解決することを目的としていた「フォワード」型であった。
クローキング(英語版)やスーパー散乱(英語版)のような応用があり、逆設計の難しい問題が解決される必要がある:特定の所望の機能的特性に従って量子ドット構造を見つける。
ディラック方程式の解に直接基づくシステム構成のブルートフォース探索は計算不可能である。
本稿では,物理的制約を受けるニューラルネットワークを厳密なディラック方程式解法に置き換える逆設計問題に対処するための機械学習手法を提案する。
特に,エネルギーの関数としての散乱効率の観点からクローキングとスーパー散乱の両方を生成する量子ドット構造を設計する問題に焦点をあてる。
散乱特性の正確な予測を可能にする物理損失関数を構築する。
クライントンネル法では、散乱効率は2桁以上の等級で変化するように設計でき、任意の散乱曲線をゲートポテンシャルの適切な組み合わせから生成できることを実証する。
我々の物理ベースの機械学習アプローチは、2D Dirac素材ベースのエレクトロニクスのための強力な設計ツールとなり得る。
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