論文の概要: Gatemon qubit based on a thin InAs-Al hybrid nanowire
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2302.04053v1
- Date: Wed, 8 Feb 2023 13:46:32 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-09 16:19:49.020075
- Title: Gatemon qubit based on a thin InAs-Al hybrid nanowire
- Title(参考訳): 薄いInAs-Alハイブリッドナノワイヤを用いたゲートモン量子ビット
- Authors: Jierong Huo, Zezhou Xia, Zonglin Li, Shan Zhang, Yuqing Wang, Dong
Pan, Qichun Liu, Yulong Liu, Zhichuan Wang, Yichun Gao, Jianhua Zhao, Tiefu
Li, Jianghua Ying, Runan Shang, Hao Zhang
- Abstract要約: InAs-Alハイブリッドナノワイヤを用いたゲート可変超伝導量子ビット(ゲートモン)について検討した。
ジョゼフソンエネルギーを制御するためにゲート電圧を用いることで、ゲートモンは強い結合状態からマイクロ波空洞に到達することができる。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 10.034881884451806
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We study a gate-tunable superconducting qubit (gatemon) based on a thin
InAs-Al hybrid nanowire. Using a gate voltage to control its Josephson energy,
the gatemon can reach the strong coupling regime to a microwave cavity. In the
dispersive regime, we extract the energy relaxation time $T_1\sim$0.56 $\mu$s
and the dephasing time $T_2^* \sim$0.38 $\mu$s. Since thin InAs-Al nanowires
can have fewer or single sub-band occupation and recent transport experiment
shows the existence of nearly quantized zero-bias conductance peaks, our result
holds relevancy for detecting Majorana zero modes in thin InAs-Al nanowires
using circuit quantum electrodynamics.
- Abstract(参考訳): 薄膜inas-alハイブリッドナノワイヤを用いたゲート可変超電導量子ビット(gatemon)の研究を行った。
ジョゼフソンエネルギーを制御するためにゲート電圧を用いることで、ゲートモンは強い結合状態からマイクロ波空洞に到達することができる。
分散系では、エネルギー緩和時間 $T_1\sim$0.56 $\mu$s とデファス化時間 $T_2^* \sim$0.38 $\mu$s を抽出する。
薄型InAs-Alナノワイヤはサブバンドの占有が少なく、最近の輸送実験ではほぼ量子化されたゼロバイアス導電ピークの存在が示されているため、回路量子力学を用いて薄型InAs-Alナノワイヤにおけるマヨラナゼロモードの検出に関連性がある。
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