Fugu-MT 論文翻訳(概要): Electronic states in quantum wires on the M\"{o}bius strip

論文の概要: Electronic states in quantum wires on the M\"{o}bius strip

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2303.05647v1
Date: Fri, 10 Mar 2023 01:49:08 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-13 16:24:35.704472
Title: Electronic states in quantum wires on the M\"{o}bius strip
Title（参考訳）: M\"{o}bius 帯上の量子線中の電子状態
Authors: J. J. L. R. Pinto, J. E. G. Silva, and C. A. S. Almeida
Abstract要約: M"オビウス・ストリップに沿ったワイヤに拘束された電子の性質について検討する。各方向について、曲率が電子状態とその対応するエネルギースペクトルをどのように変化させるかを検討する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: In this work, we study the properties of an electron constrained on wires along the M\"{o}bius strip. We considered wires around the strip and along the transverse direction, across the width of the strip. For each direction, we investigate how the curvature modifies the electronic states and their corresponding energy spectrum. At the center of the strip, the wires around the surface form quantum rings whose spectrum depends on the strip radius $a$. For wires at the edge of the strip, the inner edge turns into the outer edge. Accordingly, the curvature yields localized states in the middle of the wire. Along the strip width, the effective potential exhibits a parity symmetry breaking leading to the localization of the bound state on one side of the strip.
Abstract（参考訳）: 本研究では、M\"{o}bius 帯に沿ったワイヤに拘束された電子の性質について検討する。我々は、ストリップの幅を越えて、ストリップの周りのワイヤと横方向に沿って検討した。各方向について、曲率が電子状態とその対応するエネルギースペクトルをどのように修飾するかを調べる。帯の中心では、表面の周りのワイヤは、スペクトルが帯半径$a$に依存する量子環を形成する。ストリップの端のワイヤは、内側のエッジが外側のエッジになる。したがって、曲率はワイヤの中央に局在した状態を与える。ストリップ幅に沿って、有効電位は、ストリップの片側における境界状態の局在につながるパリティ対称性の破れを示す。

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