論文の概要: High-throughput quantum photonic devices emitting indistinguishable photons in the telecom C-band
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2304.02515v2
- Date: Thu, 23 May 2024 18:09:33 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-05-28 00:25:27.567877
- Title: High-throughput quantum photonic devices emitting indistinguishable photons in the telecom C-band
- Title（参考訳）: 通信Cバンドにおける識別不能光子を放出する高出力量子フォトニックデバイス
- Authors: Paweł Holewa, Daniel A. Vajner, Emilia Zięba-Ostój, Maja Wasiluk, Benedek Gaál, Aurimas Sakanas, Marek Burakowski, Paweł Mrowiński, Bartosz Krajnik, Meng Xiong, Kresten Yvind, Niels Gregersen, Anna Musiał, Alexander Huck, Tobias Heindel, Marcin Syperek, Elizaveta Semenova,
- Abstract要約: テレコムCバンド波長における単一識別不能光子は、量子ネットワークと将来の量子インターネットにとって不可欠である。
エピタキシャル半導体量子ドットを用いたCバンド波長で動作する量子フォトニック集積デバイスの高スループット化を実証する。
収率とコヒーレンス特性のさらなる改善は、単一光子非線型デバイスと、テレコム波長で高度な量子ネットワークを実装するための道を開くだろう。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 28.279056210896716
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Single indistinguishable photons at telecom C-band wavelengths are essential for quantum networks and the future quantum internet. However, high-throughput technology for single-photon generation at 1550 nm remained a missing building block to overcome present limitations in quantum communication and information technologies. Here, we demonstrate the high-throughput fabrication of quantum-photonic integrated devices operating at C-band wavelengths based on epitaxial semiconductor quantum dots. Our technique enables the deterministic integration of single pre-selected quantum emitters into microcavities based on circular Bragg gratings. Respective devices feature the triggered generation of single photons with ultra-high purity and record-high photon indistinguishability. Further improvements in yield and coherence properties will pave the way for implementing single-photon non-linear devices and advanced quantum networks at telecom wavelengths.
- Abstract（参考訳）: テレコムCバンド波長における単一識別不能光子は、量子ネットワークと将来の量子インターネットにとって不可欠である。
しかし、1550nmの単一光子生成のための高スループット技術は、現在の量子通信と情報技術の限界を克服するために欠落したビルディングブロックのままであった。
本稿では, エピタキシャル半導体量子ドットをベースとしたCバンド波長で動作する量子フォトニック集積デバイスの高スループット化を実証する。
本手法は, 1個のプリセレクト量子エミッタを円ブラッグ格子に基づくマイクロキャビティに決定論的に統合することを可能にする。
反射デバイスは、超高純度と記録高光子不識別性を持つ単一光子のトリガ生成を特徴とする。
収率とコヒーレンス特性のさらなる改善は、単一光子非線型デバイスと、テレコム波長で高度な量子ネットワークを実装するための道を開くだろう。
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