論文の概要: Lingering Times at Resonance: The Case of Sb-based Tunneling Devices
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2307.00597v1
- Date: Sun, 2 Jul 2023 15:40:38 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-07-05 15:05:28.975007
- Title: Lingering Times at Resonance: The Case of Sb-based Tunneling Devices
- Title（参考訳）: 共鳴時のリングリング時間:Sb型トンネル装置の場合
- Authors: Edgar David Guarin Castro, Andreas Pfenning, Fabian Hartmann, Andrea
Naranjo, Georg Knebl, Marcio Daldin Teodoro, Gilmar Eugenio Marques, Sven
H\"ofling, Gerald Bastard, Victor Lopez-Richard
- Abstract要約: 緩和、組換え、トラップング、ドリフト処理に付随する自然時間スケールは、半導体ヘテロ構造が外部駆動に対する応答を制御している。
本稿では,電子-ホール力学の定量的チューニングだけでなく,時間分解光応答の質的コントラストの定量化にもストーチノメトリーが果たす役割を強調した。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Concurrent natural time scales related to relaxation, recombination,
trapping, and drifting processes rule the semiconductor heterostructures'
response to external drives when charge carrier fluxes are induced. This paper
highlights the role of stoichiometry not only for the quantitative tuning of
the electron-hole dynamics but also for significant qualitative contrasts of
time-resolved optical responses during the operation of resonant tunneling
devices. Therefore, similar device architectures and different compositions
have been compared to elucidate the correlation among structural parameters,
radiative recombination processes, and electron-hole pair and minority carrier
relaxation mechanisms. When these ingredients intermix with the electronic
structure in Sb-based tunneling devices, it is proven possible to assess
various time scales according to the intensity of the current flux, contrary to
what has been observed in As-based tunneling devices with similar design and
transport characteristics. These time scales are strongly affected not only by
the filling process in the $\Gamma$ and L states in Sb-based double-barrier
quantum wells but also by the small separation between these states, compared
to similar heterostructures based on As.
- Abstract（参考訳）: 緩和、再結合、トラップおよびドリフト過程に関連する同時的自然時間スケールは、電荷キャリアフラックスが誘導されるときに外部ドライブに対する半導体ヘテロ構造の応答を制御する。
本稿では,電子ホールダイナミクスの定量的チューニングのみならず,共振トンネル装置の動作における時間分解光応答の有意な定性的コントラストにおいても,stoichiometryが果たす役割について述べる。
そのため, 構造パラメータ, 放射的再結合過程, 電子ホール対と少数担体緩和機構の相関を解明するために, 類似のデバイス構造と異なる組成を比較した。
これらの材料がsb系トンネル装置の電子構造と混合すると、同様の設計と輸送特性を持つas系トンネル装置で観測されたものと異なり、電流フラックスの強度に応じて様々な時間スケールを評価できることが証明される。
これらの時間スケールは、Sbベースの二重バリア量子井戸における$\Gamma$およびL状態の充填過程だけでなく、Asに基づく同様のヘテロ構造に比べて、これらの状態の分離によっても強い影響を受ける。
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