論文の概要: Theory of weak localization in graphene with spin-orbit interaction
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2310.08440v1
- Date: Thu, 12 Oct 2023 16:03:34 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-10-15 10:38:30.767998
- Title: Theory of weak localization in graphene with spin-orbit interaction
- Title(参考訳): スピン軌道相互作用を持つグラフェンの弱い局在の理論
- Authors: L. E. Golub
- Abstract要約: エネルギースペクトルのラシュバ分割によるグラフェンの弱局在化の理論を開発した。
異常磁気抵抗は, スピン軌道, スピンバレー散乱過程を考慮し計算される。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Theory of weak localization in graphene with Rashba splitting of energy
spectrum is developed. Anomalous magnetoresistance caused by weak localization
is calculated with account for inter- and intravalley, spin-orbit and
spin-valley scattering processes. It is shown that the anomalous
magnetoresistance is described by the expression different from the traditional
Hikami-Larkin-Nagaoka formula. The reason is that the effect of Rashba
splitting gives rise to the spin-orbit vector potential which is not reduced to
a spin dephasing only. The developed theory can be applied to heterostructures
of graphene with transition metal dichalcogenides.
- Abstract(参考訳): エネルギースペクトルのラシュバ分割によるグラフェンの弱局在化の理論を開発した。
弱局在化により生じる異常磁気抵抗は, スピン軌道, スピン-バレー散乱により計算される。
この異常磁気抵抗は従来の氷上ラルキン長岡式とは異なる表現で記述されている。
理由は、ラシュバ分割の効果がスピン軌道ベクトルポテンシャルを生じさせ、それがスピン脱落のみに還元されないからである。
この理論は遷移金属ジアルコゲナイドを含むグラフェンのヘテロ構造に応用できる。
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