論文の概要: Multi-junction surface ion trap for quantum computing

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2403.00208v1
• Date: Fri, 1 Mar 2024 00:51:38 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2024-03-05 18:34:27.543763
• Title: Multi-junction surface ion trap for quantum computing
• Title（参考訳）: 量子コンピューティングのための多接合表面イオントラップ
• Authors: J.D. Sterk, M.G. Blain, M. Delaney, R. Haltli, E. Heller, A.L. Holterhoff, T. Jennings, N. Jimenez, A. Kozhanov, Z. Meinelt, E. Ou, J. Van Der Wall, C. Noel, D. Stick
• Abstract要約: トラップ領域の2次元レイアウトを持つ表面イオントラップは、大量のイオンを貯蔵するための自然なアーキテクチャである。 ここでは、RF電極のサイズが大きくなるにつれて、電力消費が増加するというスケーリングの課題に対処するトラップを示す。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Surface ion traps with two-dimensional layouts of trapping regions are natural architectures for storing large numbers of ions and supporting the connectivity needed to implement quantum algorithms. Many of the components and operations needed to fully exploit this architecture have already been demonstrated, including operation at cryogenic temperatures with low heating, low excitation transport, and ion control and detection with integrated photonics. Here we demonstrate a trap that addresses the scaling challenge of increasing power dissipation as the RF electrode increases in size. By raising the RF electrode and removing most of the insulating dielectric layer below it we reduce both ohmic and dielectric power dissipation. We also measure heating rates across a range of motional frequencies and for different voltage sources in a trap with a raised RF electrode but solid dielectric.
• Abstract（参考訳）: トラップ領域の二次元配置を持つ表面イオントラップは、大量のイオンを保存し、量子アルゴリズムを実装するのに必要な接続をサポートする自然なアーキテクチャである。 このアーキテクチャを完全に活用するために必要な多くのコンポーネントや操作がすでに実証されており、低温での低温での低温加熱、低励起輸送、イオン制御と光合成による検出が含まれる。 ここでは,rf電極が大きくなるにつれて電力散逸が増加するというスケーリング課題に対処するトラップを示す。 RF電極を上昇させ、絶縁誘電体層の大部分を下方に除去することにより、オーミックおよび誘電体の消散を減少させる。 また, RF電極を昇圧させたトラップにおいて, 動作周波数や電圧源の異なる範囲の加熱速度も測定した。

関連論文リスト

• Cooperative engineering the multiple radio-frequency fields to reduce the X-junction barrier for ion trap chips [7.581541697986182]
  ジャンクションでのイオン遮断操作は、分離、マージ、交換など、より頻繁に使用される。 電波(RF)電極のジオメトリを最適化し、理想的なトラップ電場を生成するために、いくつかの研究がなされている。 複数個のRF電極を配置することで接合部の擬似電位障壁とイオン高さの変動を低減する方法が提案された。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-11-24T01:00:56Z)
• Bilayer Ion Trap Design for 2D Arrays [0.0]
  ジャンクションは2次元イオントラップアレイにおけるクビット移動をサポートする基本的な要素である。 本稿では,垂直方向に回転する2つのリニアイオントラップを組み込んだ新しい2層接合設計を提案し,シミュレーションする。 我々の新しいジャンクションレイアウトは、マイクロファブリックイオントラップ制御の柔軟性を高め、大規模に閉じ込められたイオン量子コンピューティングを可能にする可能性がある。
  論文  参考訳（メタデータ） (2023-10-11T05:06:04Z)
• Local Fluctuations in Cavity Control of Ferroelectricity [0.0]
  2つの高品質金属鏡の間に挟まれた量子パラ誘電体について検討する。 横モードの連続体を含むと、空洞は強誘電性相関を抑える。 我々の結果は、一般的な形式主義に基づいており、広く適用されることが期待されている。
  論文  参考訳（メタデータ） (2023-01-05T02:55:52Z)
• Enhancing the Coherence of Superconducting Quantum Bits with Electric Fields [62.997667081978825]
  印加された直流電界を用いて、クォービット共鳴から外れた欠陥を調整することにより、クビットコヒーレンスを向上させることができることを示す。 また、超伝導量子プロセッサにおいて局所ゲート電極をどのように実装し、個々の量子ビットの同時コヒーレンス最適化を実現するかについても論じる。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-08-02T16:18:30Z)
• Driving Force and Nonequilibrium Vibronic Dynamics in Charge Separation of Strongly Bound Electron-Hole Pairs [59.94347858883343]
  本研究では,1,2,3次元ドナー・アクセプタネットワークにおける電荷分離のダイナミクスについて検討する。 これにより、過度な振動運動が効率的な長距離電荷分離を誘導する正確な条件を特定できる。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-05-11T17:51:21Z)
• Resonant tunneling diodes in semiconductor microcavities: modeling polaritonic features in the THz displacement current [0.0]
  共振トンネルダイオードの変位電流に及ぼす量子化電磁場の影響を解析した。 これは閉系におけるJaynes-Cummingsモデルによって予測される既知の効果を模倣する。 THz電流のマルチタイム測定にかかわる計算負担は、光-物質相互作用のボーマ的な記述を呼び起こすことによって解決される。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-04-27T10:51:03Z)
• Near-Surface Electrical Characterisation of Silicon Electronic Devices Using Focused keV Ions [45.82374977939355]
  シリコンデバイスに低エネルギーイオンを注入する方法を示す。 内部電界が弱いにもかかわらず、感度領域全体から準均一電荷収集効率が得られる。 これは、高品質な熱ゲート酸化物がイオン検出反応で果たす重要な役割によって説明できる。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-01-27T06:29:46Z)
• Engineering the Radiative Dynamics of Thermalized Excitons with Metal Interfaces [58.720142291102135]
  平面金属界面近傍のTMDCにおける励起子の発光特性を解析した。 点双極子の場合に対する放出の抑制または増強は、数桁のオーダーで達成される。 ナノスケールの光学キャビティは、TMDCの長寿命エキシトン状態を生成するための有効な経路である。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-10-11T19:40:24Z)
• Measurement of the Low-temperature Loss Tangent of High-resistivity Silicon with a High Q-factor Superconducting Resonator [58.720142291102135]
  温度70mKから1Kの範囲で高比抵抗(100)シリコンウェハの直接損失タンジェント測定を行った。 この測定は, 高温超伝導ニオブ共振器を利用した技術を用いて行った。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-08-19T20:13:07Z)
• A scalable helium gas cooling system for trapped-ion applications [51.715517570634994]
  複数のイオントラッピング実験を同時に行うためのモジュラー冷却システムを提案する。 冷却システムは、70Kで111Wのネット冷却電力を最大4実験に供給することが期待されている。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-06-14T16:37:54Z)
• Heating of a trapped ion induced by dielectric materials [1.2495977992702094]
  表面による電界ノイズは、近くに閉じ込められたイオンの運動を妨害する。 誘電体材料がイオンの動きに与える影響を予測する手法を提案する。 このアプローチは、イオントラップベースの量子コンピュータとネットワークノードの設計を最適化するために使用できると期待している。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-03-25T13:52:28Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。

指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。