Fugu-MT 論文翻訳(概要): The nuclear-spin dark state in silicon

論文の概要: The nuclear-spin dark state in silicon

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2405.14922v1
Date: Thu, 23 May 2024 17:47:27 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2024-05-27 19:37:06.339290
Title: The nuclear-spin dark state in silicon
Title（参考訳）: シリコン中の核スピン暗黒状態
Authors: Xinxin Cai, Habitamu Y. Walelign, John M. Nichol,
Abstract要約: ゲート定義シリコン二重量子ドットにおける核スピン暗黒状態の形成について報告する。暗黒状態は、量子ドット中の電子が半導体中の核を解離状態に駆動するときに、動的核分極中に現われると予測されている。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We report the formation of a nuclear-spin dark state in a gate-defined silicon double quantum dot. The dark state has been predicted to emerge during dynamic nuclear polarization when the electrons in the quantum dot drive the nuclei in the semiconductor into a decoupled state. We show that, as expected, the electron-nuclear coupling rapidly diminishes in the dark state, and that this state depends on the synchronized precession of the nuclear spins. Moreover, the dark state significantly increases the lifetimes of electronic spin states. This nuclear-spin dark state could be used as a quantum memory or as a resource for quantum sensing, and further studies of the dark state may point the way toward increased polarization of nuclear spin ensembles.
Abstract（参考訳）: ゲート定義シリコン二重量子ドットにおける核スピン暗黒状態の形成について報告する。暗黒状態は、量子ドット中の電子が半導体中の核を解離状態に駆動するときに、動的核分極中に現われると予測されている。予想通り、電子-核結合は暗黒状態において急速に減少し、この状態は、核スピンの同期前兆に依存することを示した。さらに、暗黒状態は電子スピン状態の寿命を大幅に増加させる。この核スピン暗黒状態は量子メモリや量子センシングの資源として利用することができ、さらに暗黒状態の研究は核スピンアンサンブルの分極増加への道を示す可能性がある。

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