論文の概要: Gate-based quantum annealing without digitization errors

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2410.05955v1
• Date: Tue, 8 Oct 2024 12:11:17 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2024-11-01 12:00:27.516770
• Title: Gate-based quantum annealing without digitization errors
• Title（参考訳）: ディジタル化誤差のないゲートベース量子アニール
• Authors: Takuya Hatomura,
• Abstract要約: 従来のトロッタライズ手法に対して,本手法のスケーリングの利点を数値的に示す。 この方法の適用には、非知性$XX$-相互作用、バイアス$Z$-フィールド、および反断熱性$Y$-フィールド触媒の組み合わせが含まれる。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Time-dependent Hamiltonian simulation using Trotterization causes two types of errors, i.e., discretization errors and digitization errors. In this paper, we propose a decomposition formula which enables us to completely eliminate digitization errors in digital quantum simulation of quantum annealing. We numerically demonstrate scaling advantage of the present method against the conventional Trotterization approach. We also show that the present method can be applied to quantum annealing with some catalysts. Notably, some combinations of nonstoquastic $XX$-interaction, bias $Z$-field, and counterdiabatic $Y$-field catalysts are included in applications of the present method.
• Abstract（参考訳）: トロッター化を用いた時間依存ハミルトニアンシミュレーションは、2種類の誤差、すなわち離散化誤差とデジタル化誤差を引き起こす。 本稿では,量子アニールのディジタル量子シミュレーションにおいて,ディジタル化エラーを完全に除去できる分解式を提案する。 従来のトロッタライズ手法に対して,本手法のスケーリングの利点を数値的に示す。 また, いくつかの触媒を用いた量子アニール法にも適用可能であることを示す。 特に、非知性$XX$-相互作用、バイアス$Z$-フィールド、および反断熱性$Y$-フィールド触媒の組み合わせが本法の適用に含まれている。

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