論文の概要: Estimation during Design Phases of Suitable SRAM Cells for PUF Applications Using Separatrix and Mismatch Metrics
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2412.01560v1
- Date: Mon, 02 Dec 2024 14:47:37 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2024-12-04 15:40:24.891381
- Title: Estimation during Design Phases of Suitable SRAM Cells for PUF Applications Using Separatrix and Mismatch Metrics
- Title(参考訳): セパラトリクスとミストパッチを用いたPUF用SRAMセルの設計相の推定
- Authors: Abdel Alheyasat, Gabriel Torrens, Sebastia A. Bota, Bartomeu Alorda,
- Abstract要約: 物理的に拘束不能な暗号関数(PUF)は、デバイス認証と秘密鍵作成において、低コストのプリミティブとして使用される。
パワーアップ過程における非決定論的ノイズ環境のため、PUFはチャレンジ応答の再現性が低い。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License:
- Abstract: Physically unclonable functions (PUFs) are used as low-cost cryptographic primitives in device authentication and secret key creation. SRAM-PUFs are well-known as entropy sources; nevertheless, due of non-deterministic noise environment during the power-up process, they are subject to low challenge-response repeatability. The dependability of SRAM-PUFs is usually accomplished by combining complex error correcting codes (ECCs) with fuzzy extractor structures resulting in an increase in power consumption, area, cost, and design complexity. In this study, we established effective metrics on the basis of the separatrix concept and cell mismatch to estimate the percentage of cells that, due to the effect of variability, will tend to the same initial state during power-up. The effects of noise and temperature in cell start-up processes were used to validate the proposed metrics. The presented metrics may be applied at the SRAM-PUF design phases to investigate the impact of different design parameters on the percentage of reliable cells for PUF applications.
- Abstract(参考訳): 物理的に拘束不能な関数(PUF)は、デバイス認証と秘密鍵作成において、低コストの暗号プリミティブとして使用される。
SRAM-PUFはエントロピー源としてよく知られているが、電源アップ時の非決定論的ノイズ環境のため、課題応答の再現性が低い。
SRAM-PUFの信頼性は通常、複雑なエラー訂正符号(ECC)とファジィ抽出器構造を組み合わせることで達成される。
本研究では,セパラトリクスの概念と細胞ミスマッチに基づいて有効測定値を確立し,変動性の影響によりパワーアップ時に同じ初期状態となる細胞の割合を推定した。
セル起動過程におけるノイズと温度の影響を,提案手法の検証に利用した。
提案手法はSRAM-PUF設計段階で適用でき, PUF用セルの信頼性に対する異なる設計パラメータの影響を調べることができる。
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