論文の概要: Automated tuning and characterization of a single-electron transistor charge sensor

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2502.02521v1
• Date: Tue, 04 Feb 2025 17:45:00 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2025-02-05 14:56:18.157733
• Title: Automated tuning and characterization of a single-electron transistor charge sensor
• Title（参考訳）: 単一電子トランジスタ電荷センサの自動チューニングと特性評価
• Authors: Andrija Paurevic, Ali Sakr, Tanmay Joshi, Dennis van der Bovenkamp, Quim T. Nicolau, Floris A. Zwanenburg, Jonathan Baugh,
• Abstract要約: 本稿では、単一電子トランジスタ(SET)または単一ホールトランジスタ(SHT)を高精度な電荷センサとして動作させる自動プロトコルを提案する。 最小限のデバイス固有情報を用いて、このプロトコルは高感度な操作点の選択とランキングを可能にする測定を行う。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.2094057281590807
• License:
• Abstract: We present an automated protocol for tuning single-electron transistors (SETs) or single-hole transistors (SHTs) to operate as precise charge sensors. Using minimal device-specific information, the protocol performs measurements to enable the selection and ranking of high-sensitivity operating points. It also characterizes key device parameters, such as dot radius and gate lever arms, through acquisition and analysis of Coulomb diamonds. Demonstration on an accumulation-mode silicon SET at 1.5 K highlights its potential in the 1-2 K range for "hot" spin qubits in scalable quantum computing systems. This approach significantly reduces the tuning time compared to manual methods, with future improvements aimed at faster runtimes and dynamic feedback for robustness to charge fluctuations.
• Abstract（参考訳）: 本稿では、単一電子トランジスタ(SET)または単一ホールトランジスタ(SHT)を高精度な電荷センサとして動作させる自動プロトコルを提案する。 最小限のデバイス固有情報を用いて、このプロトコルは高感度な操作点の選択とランキングを可能にする測定を行う。 また、クルロンダイヤモンドの取得と分析を通じて、ドット半径やゲートレバーアームなどの重要なデバイスパラメータを特徴付ける。 1.5 Kでの集積モードシリコンSETの実証は、スケーラブルな量子コンピューティングシステムにおける「ホット」スピン量子ビットの1-2 Kの範囲におけるそのポテンシャルを強調している。 このアプローチは手動のメソッドと比較してチューニング時間を著しく短縮し、将来の改善はランタイムの高速化と、変動をチャージする堅牢性のための動的フィードバックを目指している。

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