Fugu-MT 論文翻訳(概要): The charge cycle of group IV vacancy centers in diamond: From DFT to rate equations

論文の概要: The charge cycle of group IV vacancy centers in diamond: From DFT to rate equations

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2504.19748v1
Date: Mon, 28 Apr 2025 12:48:07 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2025-05-02 19:15:54.43779
Title: The charge cycle of group IV vacancy centers in diamond: From DFT to rate equations
Title（参考訳）: ダイヤモンド中のIV族空洞中心の電荷サイクル:DFTから比式へ
Authors: Joshua Claes, Bart Partoens, Dirk Lamoen,
Abstract要約: ダイヤモンドのシリコン空孔中心は量子技術にとって有望なシステムである。我々は、グループIV空き中心の電荷サイクルを、2$から0$の電荷状態からモデル化する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Abstract: The silicon vacancy center in diamond is a promising system for quantum technologies due to its exceptional optical and spin properties. This has led to great interest in the silicon-vacancy center as well as in the other group IV vacancy centers. In this work, we model the charge cycle of the group IV vacancy centers from the $-2$ to $0$ charge state. As a first step, we compute the onset energies for all relevant one- and two-step ionization processes. Based on these results, we then derive the rate equations using Fermi's golden rule.
Abstract（参考訳）: ダイヤモンド中のシリコン空孔中心は、その例外的な光学特性とスピン特性のために量子技術にとって有望なシステムである。これにより、シリコン空調センターや他のグループIV空調センターにも大きな関心が寄せられている。本研究では,グループIV空き中心の電荷サイクルを,2ドルから0ドルまでの電荷状態からモデル化する。最初のステップとして、関連するすべての1段階および2段階のイオン化プロセスのオンセットエネルギーを計算する。これらの結果に基づいて、フェルミの黄金律を用いてレート方程式を導出する。

関連論文リスト

Identifying high performance spectrally-stable quantum defects in diamond [0.0]
半導体の量子欠陥は量子技術の中心になりつつある。ダイヤモンドの最も顕著な量子欠陥は窒素空孔(NV)中心である。我々は、中心対称性、可視範囲での放射、および好ましい電子構造と達成可能な電子構造を組み合わせた欠陥を同定する。
論文参考訳（メタデータ） (2025-04-15T20:26:24Z)
Biquaternion representation of the spin one half and its application on the relativistic one electron atom [65.268245109828]
この研究では、複素四元数を持つ1/2$スピン粒子を表現している。複素四元数空間における状態、回転作用素および全角運動量関数を決定する。
論文参考訳（メタデータ） (2024-02-28T19:24:13Z)
Cooper quartets in interacting hybrid superconducting systems [44.99833362998488]
クーパー四重項は強相関物質を記述するエキゾチックフェルミオン集合を表す。通常の超伝導鉛と結合した二重ドット系でクーパー四重項を設計する方法を示す。
論文参考訳（メタデータ） (2024-01-08T19:28:15Z)
Identification of acoustically induced spin resonances of Si vacancy centers in 4H-SiC [0.0]
本研究では, 表面音波の動的ひずみは, 極低温上でのスピン制御の限界を克服できることを示す。それらの励起状態の中心にある$mathrmV_mathrmSi$の両方の種類の音響スピン制御は、スピン-オプトメカニクスに基づく量子技術への応用のための新しい方法を開く。
論文参考訳（メタデータ） (2022-12-15T10:27:38Z)
Computational Insights into Electronic Excitations, Spin-Orbit Coupling Effects, and Spin Decoherence in Cr(IV)-based Molecular Qubits [63.18666008322476]
効率的な分子量子ビットの化学設計を支援することを目的としたCr(IV)系分子の鍵となる性質に関する知見を提供する。一軸ゼロフィールドスプリッティング(ZFS)パラメータの符号は、すべての考慮された分子に対して負であることが判明した。我々は、53ドルCr核スピンと13C核スピンと1H核スピンとの(超)超微細結合を定量化する。
論文参考訳（メタデータ） (2022-05-01T01:23:10Z)
Mechanism for particle fractionalization and universal edge physics in quantum Hall fluids [58.720142291102135]
我々は、FQH流体中の粒子分数化の正確な融合機構を明らかにするための第2量子化フレームワークを前進させる。また、最低ランダウレベル(LLL)における位相順序を特徴付ける非局所作用素の凝縮の背後にある基本構造を明らかにする。
論文参考訳（メタデータ） (2021-10-12T18:00:00Z)
Coherence of a charge stabilised tin-vacancy spin in diamond [0.0]
グループIV空洞(G4V)中心の帯電サイクルを明らかにする。単一SnV中心の所望の負電荷状態の高効率初期化を示すためにこれを利用した。また,コヒーレント集団トラップ法により基底状態スピンのコヒーレンスを全光学的に探索し,スピンデフォーカス時間5$mu$sを求める。
論文参考訳（メタデータ） (2021-10-11T17:37:28Z)
Nuclei with up to $\boldsymbol{A=6}$ nucleons with artificial neural network wave functions [52.77024349608834]
人工ニューラルネットワークを用いて、核の波動関数をコンパクトに表現する。高精度な超球面調和法を用いて, それらの結合エネルギー, 点核子密度, ラジイをベンチマークした。
論文参考訳（メタデータ） (2021-08-15T23:02:39Z)
Photoionization of negatively charged NV centers in diamond: theory and ab initio calculations [0.0]
ダイヤモンド中の負電荷窒素空孔中心の光イオン化閾値と断面積のab-initio計算を行った。レベル3ドルからイオン化すると、NV中心は準安定な4ドルに移行します。
論文参考訳（メタデータ） (2021-04-19T09:03:50Z)
Fast qubits of optical frequencies on the rare-earth ions in fluoride crystals and color centers in diamond [62.997667081978825]
希土類イオン(REI)とダイヤモンドでドープされたフッ化物結晶を高速(10-9rms$)量子コンピュータ(FQC)として提案する。
論文参考訳（メタデータ） (2021-03-23T10:00:56Z)
Fabrication of $^{15}\textrm{NV}^{-}$ centers in diamond using a deterministic single ion implanter [0.0]
ダイヤモンド中の窒素空孔(NV)中心は、いくつかの重要な量子技術のプラットフォームである。我々は, 決定論的単一イオン源を用いた移植によるNV中心の生成を実証した。
論文参考訳（メタデータ） (2021-01-06T11:32:42Z)
A multiconfigurational study of the negatively charged nitrogen-vacancy center in diamond [55.58269472099399]
広帯域ギャップ半導体の深い欠陥は、量子センシングと情報応用を実現するための主要な量子ビット候補として現れている。ここでは、単一粒子処理とは異なり、伝統的に原子/分子に予約されていた多重構成量子化学法は、これらの欠陥中心の電子状態の多体特性を正確に記述する。
論文参考訳（メタデータ） (2020-08-24T01:49:54Z)
Optical spin initialization of spin-3/2 silicon vacancy centers in 6H-SiC at room temperature [0.6719751155411073]
6H-SiCにおけるスピン3/2負電荷シリコン空孔の光学的配向について検討した。観測された振る舞いを説明できる簡単な速度方程式モデルについて述べる。
論文参考訳（メタデータ） (2020-07-14T18:04:14Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。